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2023年2月7-10日（7日?qǐng)?bào)到），第八屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2022）第十九屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于在

一年一度行業(yè)盛會(huì)，第八屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2022）第十九屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于2023年2月7-10日在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開(kāi)。

核心提示：由深圳智芯微電子科技有限公司牽頭制定，遵循CASAS（第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟）標(biāo)準(zhǔn)制定流程，經(jīng)過(guò)標(biāo)準(zhǔn)起草小組會(huì)議討論

　　香港特區(qū)政府12月22日發(fā)表《創(chuàng)新科技發(fā)展藍(lán)圖》，提出推動(dòng)新型工業(yè)化，具體列舉了半導(dǎo)體芯片及新能源汽車產(chǎn)業(yè)。香港創(chuàng)新科技

　　據(jù)明報(bào)報(bào)道，香港政府昨公布《香港創(chuàng)新科技發(fā)展藍(lán)圖》，提出四大方向（見(jiàn)表）及八大重點(diǎn)策略，首次清晰列出冀引入「新能源汽

近日，中國(guó)電科48所第三代半導(dǎo)體裝備研發(fā)取得重大突破，牽頭申報(bào)的“大尺寸超高真空分子束外延技術(shù)與裝備”項(xiàng)目，獲得國(guó)家科技部“高性能制造技術(shù)與重大裝備”重點(diǎn)專項(xiàng)立項(xiàng)。

碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展重要的基礎(chǔ)材料。碳化硅器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高頻、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電

核心提示：2022中關(guān)村國(guó)際前沿科技創(chuàng)新大賽-國(guó)際第三代半導(dǎo)體專題賽決賽（以下簡(jiǎn)稱大賽）將于11月18日正式拉開(kāi)帷幕。15個(gè)經(jīng)初賽、復(fù)賽各環(huán)

日前，位于北京中關(guān)村順義園的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園正式投入運(yùn)行。該產(chǎn)業(yè)園占地7.4萬(wàn)平方米，將以新能源汽車、5G通訊、能源互聯(lián)網(wǎng)

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：11月6日，第三代半導(dǎo)體功率器件及封測(cè)技術(shù)峰會(huì)在深圳會(huì)展中心成功召開(kāi)。

關(guān)于第八屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇第十九屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWSSSLCHINA2022）延期舉辦的通知尊敬的演講嘉賓、贊助商、參

2022年11月7-10日， 一年一度行業(yè)盛會(huì)，第八屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2022）第十九屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 202

2022年11月7-10日， 一年一度行業(yè)盛會(huì)，第八屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2022）第十九屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 202

為探討進(jìn)一步推動(dòng)器件、測(cè)試、應(yīng)用等領(lǐng)域的技術(shù)融合，加快相關(guān)技術(shù)成果產(chǎn)業(yè)化，完善相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)化體系，促進(jìn)細(xì)分應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)鏈上下

在國(guó)創(chuàng)中心建設(shè)的基礎(chǔ)上，要將第三代半導(dǎo)體作為我省首批十大產(chǎn)業(yè)鏈之一，實(shí)現(xiàn)山西區(qū)域中心對(duì)技術(shù)鏈條及產(chǎn)業(yè)鏈條的帶動(dòng)作用。10月

　　2022年9月23日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟吳玲理事長(zhǎng)、黑龍江省醫(yī)學(xué)科學(xué)院副院長(zhǎng)張鳳民教授一行到訪創(chuàng)盈光療北京總

第八屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于11月7日-10日在蘇州國(guó)際博覽中心舉行。目前，論壇正式啟動(dòng)線上注冊(cè)系統(tǒng)，11月1日前注冊(cè)報(bào)名可享受優(yōu)惠。

國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡(jiǎn)稱國(guó)創(chuàng)中心）在京召開(kāi)第一屆理事會(huì)第一次會(huì)議，標(biāo)志著國(guó)創(chuàng)中心正式邁入實(shí)際運(yùn)行階段。

順義區(qū)進(jìn)一步促進(jìn)第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干措施（征求意見(jiàn)稿）第一章 總則第一條 為貫徹《北京市十四五時(shí)期高精尖產(chǎn)業(yè)發(fā)

越來(lái)越多的人在使用手機(jī)快充充電器的時(shí)候可能不經(jīng)意間會(huì)發(fā)現(xiàn)氮化鎵（GaN）這個(gè)專業(yè)名詞，實(shí)際上，正是氮化鎵這一第三代半導(dǎo)體材