“在國(guó)創(chuàng)中心建設(shè)的基礎(chǔ)上，要將第三代半導(dǎo)體作為我省首批十大產(chǎn)業(yè)鏈之一，實(shí)現(xiàn)山西區(qū)域中心對(duì)技術(shù)鏈條及產(chǎn)業(yè)鏈條的帶動(dòng)作用。”10月11日，作為國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（山西）的牽頭建設(shè)單位，中國(guó)電子科技集團(tuán)第二研究所（以下簡(jiǎn)稱“中國(guó)電科二所”）有關(guān)負(fù)責(zé)人介紹說，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（山西）已邁入實(shí)際運(yùn)行階段，科研團(tuán)隊(duì)正圍繞核心關(guān)鍵技術(shù)展開重點(diǎn)攻關(guān)，并取得了階段性進(jìn)展。

據(jù)介紹，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心是按照“一體統(tǒng)籌規(guī)劃、多地分布布局、協(xié)同聯(lián)動(dòng)創(chuàng)新”和“存量帶動(dòng)增量”的建設(shè)思路，在科技部的統(tǒng)一指導(dǎo)下，由中國(guó)電科與相關(guān)省市協(xié)商設(shè)立，在北京、深圳、南京、蘇州、湖南、山西等地布局建設(shè)六個(gè)區(qū)域中心，有效銜接政府支持和企業(yè)需求，聯(lián)合行業(yè)龍頭企業(yè)，協(xié)同全國(guó)50余家科研機(jī)構(gòu)，初步形成一個(gè)“核心+基地+網(wǎng)絡(luò)”的創(chuàng)新格局。9月23日，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡(jiǎn)稱“國(guó)創(chuàng)中心”）在北京市召開了第一屆理事會(huì)第一次會(huì)議，標(biāo)志著國(guó)創(chuàng)中心正式邁入實(shí)際運(yùn)行階段。

今年6月，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（山西）正式揭牌。國(guó)創(chuàng)中心的山西區(qū)域中心正是由中國(guó)電科二所牽頭建設(shè)，聯(lián)合省內(nèi)優(yōu)勢(shì)機(jī)構(gòu)和高校，針對(duì)國(guó)家第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略需求，結(jié)合我省經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型發(fā)展要求，集聚創(chuàng)新要素，深入開展第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)和共性技術(shù)研發(fā)，將建設(shè)成為重大關(guān)鍵技術(shù)的供給源頭，產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展的創(chuàng)新高地，技術(shù)服務(wù)、成果轉(zhuǎn)化與創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)的眾創(chuàng)平臺(tái)。

“按照科技部和中國(guó)電科要求，國(guó)創(chuàng)中心各省市平臺(tái)陸續(xù)進(jìn)入實(shí)體化運(yùn)行模式。我們已聯(lián)合國(guó)創(chuàng)中心（山西）區(qū)域的其他共建單位，設(shè)立混合所有制實(shí)體化公司，主要發(fā)揮兼具科研院所和公司的特性，廣聚力量，研發(fā)核心技術(shù)，孵化科技成果，引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。”據(jù)中國(guó)電科二所有關(guān)負(fù)責(zé)人介紹，作為我省確定的首批“鏈主”企業(yè)，該所正以第三代半導(dǎo)體構(gòu)建千億級(jí)產(chǎn)業(yè)集群為契機(jī)，打造創(chuàng)新發(fā)展新動(dòng)能，推動(dòng)我省成為第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的引領(lǐng)者。

9月中旬，央視財(cái)經(jīng)頻道《經(jīng)濟(jì)信息聯(lián)播》欄目，已專題報(bào)道了中國(guó)電科二所在第三代半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域取得的重要突破。原來，第三代半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中最為重要的一個(gè)環(huán)節(jié)就是碳化硅襯底材料的制備，這種材料需要在2500攝氏度以上的高溫以及真空環(huán)境中生長(zhǎng)。由于晶體生長(zhǎng)工藝要求苛刻，因此對(duì)碳化硅單晶生長(zhǎng)爐裝備提出了很高的要求。十年前，中國(guó)電科二所已開始涉足第三代半導(dǎo)體碳化硅裝備的研發(fā)，先后研發(fā)出碳化硅單晶生長(zhǎng)爐、碳化硅粉料合成爐、碳化硅晶體退火爐、籽晶粘接爐等碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的多款核心裝備。

目前，按照山西區(qū)域中心的發(fā)展目標(biāo)，中國(guó)電科二所已聯(lián)合太原科技大學(xué)、中北大學(xué)等共建單位，按照“揭榜掛帥”方式，針對(duì)第三代半導(dǎo)體研發(fā)過程中的11項(xiàng)核心關(guān)鍵技術(shù)展開重點(diǎn)攻關(guān)，并取得階段性進(jìn)展。

其中，激光剝離科研團(tuán)隊(duì)已掌握激光剝離技術(shù)原理與工程基礎(chǔ)，基于工藝與裝備協(xié)同研發(fā)，實(shí)現(xiàn)了4英寸、6英寸碳化硅單晶片的激光剝離；晶圓鍵合設(shè)備樣機(jī)研制成功，針對(duì)不同應(yīng)用對(duì)象的要求，完成了系列化產(chǎn)品的開發(fā)；碳化硅單晶生長(zhǎng)爐已完成智能化8英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)爐定型的設(shè)計(jì)工作，實(shí)現(xiàn)了外購(gòu)件國(guó)產(chǎn)化替代；碳化硅單晶生長(zhǎng)工藝研究，已生長(zhǎng)出6英寸厚度大于35毫米的合格碳化硅晶體。

（來源：太原日?qǐng)?bào)）