河北：推動新一代信息技術產業高質量發展
美國芝加哥大學普利茲克分子工程學院團隊展示了界面生物電子學領域的新突破：他們創造出具有強大半導體功能的新型水凝膠材料。
10月28日，光谷機器人生態創新中心（以下簡稱中心）啟動，華中科技大學、武漢科技大學、武漢工程大學等首批12所高校機器人研發團
熱烈慶祝盛美臨港研發與制造中心迎來里程碑時刻——首臺量測設備 KLA-Tencor Surfscan SP7入駐研發潔凈室！
作為IFWS的重要技術分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應用”分會最新報告日程正式出爐！
英飛凌在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進展，這種晶圓直徑為300mm，厚度為20μm。厚度僅有頭發絲的四分之一，是目前最先進的40-60μm晶圓厚度的一半。
作為IFWS的重要分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應用”分會最新報告日程正式出爐，將有來自將有香港科技大學高通光學實驗室、高武半導體，小米通訊技術，匯芯通信/國家5G中高頻器件創新中心，中國科學技術大學、云塔電子，能訊高能半導體，中國科學院半導體研究所，九峰山實驗室，江南大學，中國科學院微電子研究所的專家們分享精彩主題報告。
國家知識產權局信息顯示，山東粵海金半導體科技有限公司取得一項名為種專用的碳化硅襯底Wafer倒角裝置的專利，授權公告號CN 2218
國家知識產權局信息顯示，漢斯半導體（江蘇）有限公司取得一項名為一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置的專利，授權公告號 CN 221871
壓力之下，聞泰科技如何在逆境中找到破局之道，不僅穩固了市場地位，更實現了業績的飛躍？
拜登政府敲定針對美國個人和公司投資中國先進技術的限制，其中包括半導體、量子計算和人工智能（AI）。新規旨在防止美國資本和專業知識被用來幫助中國開發先進科技關鍵技術。
由于先進封裝可以大幅提高芯片良率、降低設計復雜度及減少芯片制造成本，已成為美日對華半導體競爭的最前沿。
工業和信息化部、國家發展改革委、財政部、國務院國資委、市場監管總局、國家數據局等六部門近日聯合印發通知，部署開展2024年度
國家機關事務管理局、中共中央直屬機關事務管理局聯合印發了《關于做好中央和國家機關新能源汽車推廣使用工作的通知》
總投資30億元！盤古半導體多芯片高密度板級扇出先進封裝項目喜封金頂
國家知識產權局信息顯示，蘇州高視半導體技術有限公司申請一項名為基于晶圓檢測系統的晶圓檢測方法及其相關產品的專利，公開號 C
德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體已在日本會津工廠開始投產。隨著會津工廠
10月26日，總投資10億元的普創先進半導體產業園項目已全面竣工投產。東莞日報消息稱，該項目由東莞普萊信智能技術有限公司籌劃，
據青島自貿片區消息，10月24日，青島自貿片區與工銀資本管理有限公司、青島城投創業投資有限公司、青島市引導基金投資有限公司、
國家知識產權局信息顯示，中芯國際集成電路制造(上海)有限公司申請一項名為光刻機焦距監控方法、焦距監控掩膜版及其形成方法的專