國家知識產權局信息顯示，上海華虹宏力半導體制造有限公司申請一項名為接觸孔自對準的MOSFET制造方法的專利，公開號 CN 11876299
國家知識產權局信息顯示，廣東氣派科技有限公司申請一項名為一種 MOSFET 的封裝結構的專利，公開號 CN 118763060 A，申請日期為
國家知識產權局信息顯示，杭州鎵仁半導體有限公司申請一項名為一種氧化鎵單晶襯底拋光片的劃片保護層結構及其劃片方法的專利，公
國家知識產權局信息顯示，江蘇集芯先進材料有限公司申請一項名為大尺寸碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置的專利，公開號CN 118756340
10月17日，東湖高新區舉辦新聞發布會，正式發布《促進未來產業發展實施方案》。《方案》立足國家定位特殊、武漢科教特長、光谷產
工業和信息化部、國家發展改革委近日聯合印發《新材料中試平臺建設指南（2024—2027年）》
10月13日，由山東省科技廳指導，山東省創新發展研究院(以下簡稱省創發院)和國家信息通信國際創新園服務中心共同主辦的山東集成電
工業和信息化部、國家發展改革委近日聯合印發《新材料中試平臺建設指南（2024—2027年）》
國家知識產權局信息顯示，格蘭菲智能科技股份有限公司申請一項名為功率半導體器件結構及其制備方法的專利，公開號 CN 118748202
“智慧健康照明技術及應用”主題分會上，來自南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心（南昌實驗室）、朗德萬斯、江西省應用光學技術重點實驗室、金鑒實驗室、勤上光電、升譜光電、同方股份等實力派代表性企業機構的嘉賓們帶來精彩報告
近日，北京市經濟和信息化局發布了北京市第六批專精特新小巨人企業和第三批專精特新小巨人復核通過企業名單。順義區第三代半導體
國家第三代半導體技術創新中心（南京）歷時 4 年自主研發，成功攻關溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現我國在該領域的首次突破。
武進國家高新區—常州大學化合物半導體創新聯合體正式簽約揭牌
萬業企業與國家第三代半導體技術創新中心簽署戰略協議
2024年6月24日，全國科技大會、國家科學技術獎勵大會、兩院院士大會在京召開，黨和國家領導人出席大會并為獲獎代表頒獎。據悉，2
國家新能源汽車技術創新中心與長城汽車股份有限公司共同揭牌成立“車規級芯片聯合實驗室”
新華社北京5月30日電 國務院總理李強日前簽署國務院令，公布《國務院關于修改〈國家科學技術獎勵條例〉的決定》(以下簡稱《決定
4月16日，國家重點研發計劃單片集成GaN基可調控Micro-LED發光器件研究項目啟動暨實施方案論證會在濟南召開。山東大學副校長蘆延
晶能微電子項目：廠房建設按下快進鍵昨天上午，走進位于嘉興國家高新區（高照街道）唯勝路與八字路段的晶能微電子項目建設現場，
據國家知識產權局公告，北京大學取得一項名為一種AlGaN基深紫外發光二極管器件結構及其制備方法，授權公告號CN114373837B，申請