國家知識產權局信息顯示，上海華虹宏力半導體制造有限公司申請一項名為“接觸孔自對準的MOSFET制造方法”的專利，公開號 CN 118762997 A，申請日期為 2024 年 7 月。

專利摘要顯示，本發明提供一種接觸孔自對準的MOSFET制造方法，提供襯底，在襯底上形成外延層，在外延層的上表利用離子注入形成體區；在 外延層上形成硬掩膜層，在硬掩膜層及其下方的外延層上的有源區上形成第一柵極溝槽，第一柵極溝槽的底端與體區的底端保持有預設的間距；在第一柵極溝槽的側壁形成側墻，以側墻和硬掩膜層為掩膜刻蝕第一柵極溝槽底部的外延層，形成第二柵極溝槽，第二溝槽的底部延伸出體區至外延層上；在有源區上形成接觸孔，其包括以下步驟：在第二柵極溝槽中形成柵極介電層以及位于柵極介電層上的柵極多晶硅層；去除硬掩膜層和側墻。本發明能保證較小的熱過程的前提下進一步消除接觸孔套刻偏移對工藝影響，進一步縮小元胞尺寸，提升溝道電流密度。