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中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所異質(zhì)集成XOI團(tuán)隊(duì)和南京電子研究所超寬禁帶半導(dǎo)體研究團(tuán)隊(duì)合作，在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。

觀勝半導(dǎo)體科技(合肥)有限公司動(dòng)土儀式在合肥隆重舉行

中南大學(xué)汪煉成聯(lián)合中科院半導(dǎo)體研究所、湖南大學(xué)團(tuán)隊(duì)等近年一直致力原位集成超表面光場(chǎng)調(diào)控Micro-LED器件研究。

上海應(yīng)用技術(shù)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院房永征、劉玉峰教授團(tuán)隊(duì)與國(guó)科大杭州高等研究院及美國(guó)麻省理工學(xué)院（MIT）等國(guó)內(nèi)外單位合作，在二維半導(dǎo)體材料異質(zhì)外延方面取得重要進(jìn)展。

順義科創(chuàng)集團(tuán)投資建設(shè)的第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目（二期）主體結(jié)構(gòu)順利封頂。

據(jù)順義科創(chuàng)官微披露消息，近日，瑞能微恩半導(dǎo)體（北京）有限公司廠房項(xiàng)目已完成全部施工內(nèi)容，擴(kuò)建工程已通過(guò)竣工驗(yàn)收。據(jù)悉，瑞

2025年4月23-25日，九峰山論壇將在武漢光谷科技會(huì)展中心再次啟航！

江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司近日完成了新廠房的整體搬遷

株洲中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體有限公司發(fā)生工商變更，新增國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司

中科飛測(cè)擬投資14.81億元用于高端半導(dǎo)體項(xiàng)目

賽微電子（SZ 300456）12月6日午間發(fā)布公告，為避免相關(guān)信息對(duì)廣大投資者造成誤導(dǎo)，現(xiàn)予以澄清說(shuō)明。

2025年4月23-25日，九峰山論壇將在武漢光谷科技會(huì)展中心再次啟航，現(xiàn)誠(chéng)摯邀請(qǐng)全球化合物半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的專家學(xué)者、行業(yè)領(lǐng)航者及創(chuàng)新先鋒蒞臨盛會(huì)，發(fā)表精彩演講，共享智慧火花，攜手點(diǎn)亮化合物半導(dǎo)體行業(yè)的輝煌未來(lái)。

期間，“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù) I”分會(huì)上，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代半導(dǎo)體首席科學(xué)家、新加坡工程院院士張道華做了“超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究”的主題報(bào)告，討論超寬帶隙半導(dǎo)體的研究狀況和主要問(wèn)題，分享了實(shí)驗(yàn)室團(tuán)隊(duì)近來(lái)在氧化鎵和氮化鋁的理論研究和材料表征等方面所做的工作。

清華大學(xué)羅毅院士課題組與安徽格恩半導(dǎo)體有限公司合作，通過(guò)深入研究GaN同質(zhì)外延過(guò)程中的位錯(cuò)控制、InGan/GaN多量子阱的應(yīng)力調(diào)控以及腔面鍍膜技術(shù)，制備了高效的GaN藍(lán)光激光二極管。

“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)”上，嘉賓們齊聚共同探討第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)相關(guān)的最新進(jìn)展。

期間，“碳化硅襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)”分會(huì)上，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司工藝主任工程師陳丹瑩做了“PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生長(zhǎng)的CVD設(shè)備”的主題報(bào)告，分享了基于CFD模擬的SiC刀具設(shè)計(jì)優(yōu)化、AMEC PRISMO PDS8 SiC外延工藝結(jié)果等內(nèi)容。

荷蘭半導(dǎo)體企業(yè)恩智浦 NXP 與臺(tái)灣地區(qū)特殊制程代工廠商世界先進(jìn) VIS 雙方合資（股權(quán)比例為 4:6）公司 VSMC 今日在新加坡淡濱尼舉行其首座晶圓廠的動(dòng)土典禮。

一名三星電子前工程師因涉嫌挖角三星的半導(dǎo)體核心技術(shù)人才，加上向中國(guó)公司泄漏20納米DRAM內(nèi)存芯片技術(shù)，遭逮捕并移送檢方。

“化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù)及應(yīng)用”分會(huì)上，嘉賓們齊聚，共同探討化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù)及應(yīng)用進(jìn)展與趨勢(shì)。

受外部客觀因素影響，公司合肥項(xiàng)目已停止推進(jìn)。