韓國警方3日表示，一名三星電子前工程師因涉嫌挖角三星的半導體核心技術人才，加上向中國公司泄漏20納米DRAM內存芯片技術，遭逮捕并移送檢方。

韓聯社報道，首爾警察廳產業技術安全偵查隊今天指出，64歲三星電子前工程師因涉嫌違反"職業安定法"被捕，并移送首爾中央地方檢察廳。

據報道，該男曾以顧問身分參與創立成都高真公司，同時期還在韓國成立獵頭公司，以至少2至3倍的優渥薪資挖角三星電子核心技術人才，協助在中國"復刻"動態隨機存取內存（DRAM）工廠，并于2022年4月成功生產半導體晶圓。

這座DRAM工廠從完工到投產僅費時1年3個月。 一般來說，晶圓從測試到量產通常需要4至5年。

韓國警方提到，外流技術的經濟價值高達4.3萬億韓元（約30.4億美元），若考慮相關經濟效益，實際損失規模更加龐大。

除了這名前工程師，還有以相同手法挖角韓國半導體人才的2位獵頭公司代表及法人被移送法辦。據悉獵頭公司已挖角逾30名技術人員。

盡管韓國國家關鍵技術外流，警方只能根據刑責較輕的「職業安定法」、而非「產業技術保護法」來逮捕涉案嫌犯。

警方解釋，根據現行法規，以「挖角」方式外流技術的行為不屬于「產業技術保護法」規定的懲處范圍，因此有必要針對相關法律進行修法，以嚴懲商業間諜。

報道指，包括前三星電子工程師在內，此次技術外泄案共有21人遭移送法辦。

成都高真創辦人、三星電子前常務兼SK海力士（SK Hynix）前副社長崔珍奭等人則已被捕，他們涉嫌違反「產業技術保護法」及「防止不正當競爭及商業秘密保護法」。

來源：EETOP