國家知識產權局信息顯示，萬國半導體國際有限合伙公司申請一項名為用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管的專利，公開號 CN
國家知識產權局信息顯示，廣東中圖半導體科技股份有限公司申請一項名為一種高一致性圖形化襯底的制備方法、圖形化襯底和LED外延
在近期發表于 Science 的研究中，德國赫姆霍茲研究所Christoph J. Brabec和武建昌聯合廈門大學王露遙、卡爾斯魯厄理工學院 Pascal Friederich和韓國蔚山國立科學技術院Sang Il Seok開發了一種閉環自動化工作流程，首次實現了針對光電應用的有機半導體逆向設計，通過大數據和機器學習識別出決定有機半導體光電性能的關鍵因素，并將器件性能提升至26.2%的光電轉換效率（PCE），這是該領域的重要突破。
12月21日，合肥新站高新區與深記設備搬運安裝有限公司舉行項目簽約儀式。該項目占地面積58畝，總投資3億元，建成后將用于半導體
韓國政府決定將四大先進產業（半導體、顯示器、二次電池和生物）的政策融資擴大到2025年的25.5萬億韓元（約合人民幣1285億元）。
合肥喆晶睿研半導體科技有限公司國產化制造一站式良率提升實驗室平臺項目正式開工
12月19日，由南京市玄武區人民政府、電子城高科主辦，紅山新城產業促進中心、電子城南京公司承辦，玻色量子、電子城集成電路服務
歐盟委員會批準了一項13億歐元的意大利補貼，以支持新加坡初創公司Silicon Box在諾瓦拉建造一個半導體先進封裝和測試設施。
芯易德集成電路封裝測試產業園項目在望城經開區開工
任職時間只有近1個月時間拜登計劃對中國生產的成熟制程半導體開展不公平貿易行為調查。
國家知識產權局信息顯示，上海積塔半導體有限公司申請一項名為檢測晶圓位置的方法、晶圓環切方法及晶圓環切裝置的專利，公開號 C
經過近一年時間的醞釀籌備，中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）“半導體激光器專業委員會“（下稱“激光器專委會”）于2024年12月18日式正式成立。
中國氮化鎵晶圓制造商英諾賽科（02577.HK）啟動招股，并將于2024年12月23日結束招股。
武漢金信新材料有限公司（以下簡稱“金信新材料”）芯片用第三代半導體8英寸碳化硅晶錠項目完成研發，通過了行業專家驗證
英偉達、臺積電、海力士、博通、阿斯麥、中芯國際等45家半導體企業2024年第三季度財報匯總
銳芯微電子總部項目、邁為股份年產40條異質結電池整線設備項目、甬矽電子多維異構先進封裝技術研發及產業化項目、江蘇宏瑞興覆銅板生產項目、年產23000噸高端&高純石墨化材料制造項目、路芯半導體掩膜版生產項目迎來新進展。
美國國防部宣布已于12月13日將中微半導體設備（上海）股份有限公司（Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China，AMEC）和IDG資本（IDG Capital Partners Co., Ltd.）從中國軍事企業清單（CMC清單或1260H清單）中移除。
半導體產業網獲悉：近日，根據破產資訊網披露的《北京世紀金光半導體有限公司管理人公開選聘審計、評估機構的公告》顯示，北京市
據媒體報道，近日，三安光電董事、副總經理林志東在受訪時表示，三安光電正在加快發展第三代化合物半導體產業，今年三安光電砷化
江蘇路芯半導體技術有限公司掩膜版生產項目迎來重要進展——首批工藝設備機臺成功搬入，標志著項目邁入新的階段。