半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：2024年12月18日，中國(guó)氮化鎵晶圓制造商英諾賽科（02577.HK）啟動(dòng)招股，并將于2024年12月23日結(jié)束招股。該公司計(jì)劃全球發(fā)售4536.4萬(wàn)H股，其中香港公開發(fā)售占10%，國(guó)際配售占90%，另有約15%超額配股權(quán)。

保薦人：中金公司、招銀國(guó)際

基石投資者：STMicroelectronics、江蘇國(guó)有企業(yè)混合所有制改革基金、江蘇蘇州高端裝備產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)母基金、蘇州東方創(chuàng)聯(lián)投資管理有限公司，合計(jì)申購(gòu)占比52.97%

招股價(jià)格：30.86港元-33.66港元

集資額：14.00億港元-15.27億港元

總市值：271.31億港元-295.92億港元

每手股數(shù)：100股

入場(chǎng)費(fèi)：3399.95港元

招股時(shí)間：12月23日截止

上市時(shí)間：12月30日

招股總數(shù)：45,364,000股H股

公開發(fā)售：4,536,400股H股（10%）

國(guó)際配售：40,827,600股H股

綠鞋：680.46萬(wàn)股

發(fā)行比例：5.2%

公告顯示，英諾賽科每股發(fā)售價(jià)介乎30.86-33.66港元，最高或籌資15.27億港元。每手100股，股份預(yù)期定價(jià)日為12月24日，預(yù)期將于2024年12月30日上市。

英諾賽科基石投資者分別為STHK、江蘇國(guó)企混改基金、東方創(chuàng)聯(lián)、蘇州高端裝備，一共認(rèn)購(gòu)1億美元，其中，STHK認(rèn)購(gòu)5000萬(wàn)美元，江蘇國(guó)企混改基金認(rèn)購(gòu)2500萬(wàn)美元，東方創(chuàng)聯(lián)、蘇州高端裝備分別認(rèn)購(gòu)1250萬(wàn)美元。

根據(jù)戰(zhàn)略，英諾賽科擬將所得款項(xiàng)凈額中，約60%用作擴(kuò)大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能、購(gòu)買及升級(jí)生產(chǎn)設(shè)備及機(jī)器以及招聘生產(chǎn)人員；約20%用于研發(fā)及擴(kuò)大產(chǎn)品組合，以提高終端市場(chǎng)中氮化鎵產(chǎn)品的滲透率；約10%用于擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡(luò)；約10%用于營(yíng)運(yùn)資金及其他一般企業(yè)用途。

英諾賽科主要業(yè)務(wù)情況：

英諾賽科是一家成立于2015年的高新技術(shù)企業(yè)，專注于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力，并且是全球唯一實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)氮化鎵高、低壓芯片的IDM企業(yè)。按收入計(jì)，英諾賽科2023年在全球所有氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中排名第一。

英諾賽科通過IDM模式，能夠?qū)杌壈雽?dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制造及測(cè)試的全流程進(jìn)行自主控制。

IDM模式：即集成器件制造模式，在這種模式下，企業(yè)不僅進(jìn)行集成電路的設(shè)計(jì)，還擁有自己的晶圓制造、封裝和測(cè)試設(shè)施，自行完成芯片的全生命周期，包括從設(shè)計(jì)到制造的整個(gè)過程。IDM模式的主要優(yōu)勢(shì)在于設(shè)計(jì)至制造等環(huán)節(jié)可以協(xié)同優(yōu)化，有助于充分發(fā)掘技術(shù)潛力，并且能夠率先試驗(yàn)并推出新的半導(dǎo)體技術(shù)。不過，該種模式對(duì)公司的規(guī)模以及管理運(yùn)營(yíng)成本方面的要求較高，通常被技術(shù)領(lǐng)先的全球性大公司采用，如三星、德州儀器、英特爾等。

據(jù)招股書顯示，IDM模式使英諾賽科能夠先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手快速了解并解決與產(chǎn)品應(yīng)用相關(guān)的痛點(diǎn)，從而增強(qiáng)先發(fā)優(yōu)勢(shì)。據(jù)弗若斯特沙利文資料，IDM模式已成為行業(yè)優(yōu)先選擇的模式，并有望于不久的將來占主導(dǎo)地位。公司設(shè)計(jì)、開發(fā)及制造的氮化鎵產(chǎn)品適用于廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域（見下圖），包括消費(fèi)電子（手機(jī)充電器、過壓保護(hù)芯片等）、可再生能源（LED照明、光伏及儲(chǔ)能系統(tǒng)等）及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子（LiDAR、電池系統(tǒng)）及數(shù)據(jù)中心。

公司的氮化鎵產(chǎn)品有多種不同的產(chǎn)品形態(tài)，遍及產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈，包括氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、氮化鎵集成電路及氮化鎵模組（見下圖）。

氮化鎵晶圓：

截至2023年12月31日，公司擁有全球最大的氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，產(chǎn)能達(dá)到每月1萬(wàn)片晶圓，晶圓良率超過95%。同時(shí)，公司生產(chǎn)的8英寸硅基氮化硅晶圓與6英寸的相比，晶圓晶粒產(chǎn)出數(shù)增至80%，單一器件成本降低30%，并具有高開關(guān)頻率、零反向恢復(fù)電荷、低柵極電荷及低輸出電荷的特點(diǎn)。

氮化鎵分立器件及氮化鎵集成電路：

公司的產(chǎn)品研發(fā)覆蓋15V至1200V。其中，公司開發(fā)出器件產(chǎn)品雙向氮化鎵芯片V-GaN系列，可應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)應(yīng)用等多個(gè)領(lǐng)域。V-GaN系列是公司首創(chuàng)的專利技術(shù)，最大的特點(diǎn)是由于可以實(shí)現(xiàn)雙向?qū)ǎ活wV-GaN芯片能替代兩顆硅MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體效應(yīng)晶體管），從而達(dá)到節(jié)省空間、降低發(fā)熱的效果。于2023年，公司銷售了164類氮化鎵分立器件，累計(jì)出貨量超過5億顆，處于世界前沿。

氮化鎵模組：

英諾賽科能夠提供全鏈路、高效、高頻及高功率密度的集成氮化鎵解決方案。在市場(chǎng)中，公司推出了全系列氮化鎵模組，包括氮化鎵鋰電池化成分容設(shè)備電源模組，讓功率密度及運(yùn)行效率顯著提升。

例如，公司生產(chǎn)的氮化鎵單相微型逆變器應(yīng)用于光伏領(lǐng)域，可直接將單個(gè)面板的直流電轉(zhuǎn)換為交流電。采用氮化鎵的單相微型逆變器可以將傳統(tǒng)的單相微型逆變器頻率提升一倍或兩倍，同時(shí)將系統(tǒng)損耗降低約30%，從而能夠相容于更高容量的太陽(yáng)能電池板。此外，該種單相微型逆變器亦將微型逆變器的尺寸減少約30%，并將成本減少約20%。截至2023年12月31日，公司的研發(fā)工作已累計(jì)獲得213項(xiàng)專利，其中包括173項(xiàng)發(fā)明專利及40項(xiàng)實(shí)用新型專利，以及480項(xiàng)專利申請(qǐng)，覆蓋芯片設(shè)計(jì)、器件結(jié)構(gòu)、晶圓制造、封裝及可靠性測(cè)試等關(guān)鍵領(lǐng)域。

目前，英諾賽科實(shí)現(xiàn)了集芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、芯片封裝和測(cè)試等多個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)于一身，采用IDM業(yè)務(wù)模式（即全產(chǎn)業(yè)鏈模式）。客戶包括半導(dǎo)體制造服務(wù)供應(yīng)商、專門從事可再生能源技術(shù)的高科技公司以及汽車OEM的一級(jí)供應(yīng)商。

英諾賽科主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)：

氮化鎵（GaN）是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表。相比于硅、砷化稼等第一、二代半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料具備高功率、耐高溫、耐高壓等多個(gè)方面的明顯優(yōu)勢(shì)。氮化鎵產(chǎn)品如今已經(jīng)廣泛應(yīng)用在了消費(fèi)電子快充、新能源汽車、工業(yè)等領(lǐng)域。英諾賽科也已經(jīng)收獲小米、OPPO、比亞迪等眾多大客戶。

2021年至2023年，英諾賽科實(shí)現(xiàn)的營(yíng)收分別為0.68億元、1.36億元和5.92億元，2022年同比增長(zhǎng)99.7%，2023年增長(zhǎng)335.2%，復(fù)合年增長(zhǎng)率為194.8%。收入持續(xù)增長(zhǎng)的英諾賽科，目前仍未實(shí)現(xiàn)盈利。報(bào)告期內(nèi)，英諾賽科經(jīng)營(yíng)虧損金額分別10億元、11.8億元和9.8億元，合計(jì)31.6億元。

英諾賽科表示，公司持續(xù)虧損原因在于生產(chǎn)設(shè)備大幅折舊、大額研發(fā)開支、銷售及營(yíng)銷開支的不斷增加。

分產(chǎn)品來看，英諾賽科提供分立器件及集成電路、晶圓、模組等產(chǎn)品。2023年，英諾賽科開始供應(yīng)氮化鎵模組，分立器件及集成電路、晶圓、模組三大產(chǎn)品的營(yíng)收占比分別為32.4%、35.2%、32.1%。

據(jù)招股書，2021年至2023年，中國(guó)市場(chǎng)始終是英諾賽科的業(yè)務(wù)重心，其收入分別為0.68億、1.3億及5.35億，占同年總收益的99.7%、95.5%及90.2%。

值得關(guān)注的是，英諾賽科在海外市場(chǎng)也實(shí)現(xiàn)了擴(kuò)張。除了在蘇州、珠海建立工廠外，英諾賽科同時(shí)在硅谷、首爾、比利時(shí)等地設(shè)立子公司。英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。截至2023年12月31日，產(chǎn)能達(dá)到每月10000片晶圓，實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)規(guī)模的商業(yè)化，晶圓良率超過95%。2021年至2023年，英諾賽科的產(chǎn)能利用率分別為72.3%、69.8%及71.8%。

2023年，英諾賽科已向國(guó)內(nèi)和海外（包括亞洲、歐洲和北美）約100名客戶提供了氮化鎵產(chǎn)品。2021年至2023年，公司海外市場(chǎng)占同年總收益的0.3%、4.5%及9.8%，2023年?duì)I收接近0.58億元。

公司的銷售成本包括工程及維修成本、折舊及攤銷、封裝及測(cè)試成本、材料成本、公用設(shè)備成本、制造人員成本、存貨減記成本等。其中，工程及維修成本、折舊及攤銷和封裝及測(cè)試成本為最主要的銷售成本，于2023年分別占總成本的30.0%、29.0%及19.8%。

作為一家科技型公司，英諾賽科在研發(fā)上的投入相當(dāng)高，自2021年至2023年及今年上半年分別是同期總收入的970%、426%、58.8%及37.7%。

英諾賽科稱，研發(fā)開支有所減少，主要是自2022年第二季度起，英諾賽科從研發(fā)階段進(jìn)展至大規(guī)模生產(chǎn)階段。截至2023年底，公司擁有397名研發(fā)人員。公司在全球有約700項(xiàng)專利和專利申請(qǐng)，涵蓋芯片設(shè)計(jì)、器件結(jié)構(gòu)、晶圓制造、封裝及可靠性測(cè)試等關(guān)鍵領(lǐng)域。

英諾賽科融資情況：

招股書顯示，自2018年至2024年，英諾賽科累計(jì)進(jìn)行了5輪融資，融資總額達(dá)到62.3億元，投資方陣容包括鈦信資本、毅達(dá)資本、創(chuàng)新證券、海富產(chǎn)業(yè)基金、永剛集團(tuán)、國(guó)民創(chuàng)投、招銀國(guó)際資本、朗瑪峰創(chuàng)投、SK中國(guó)、ARM等知名投資機(jī)構(gòu)及行業(yè)巨頭。截至2024年4月1日的E輪融資后，按28.13元的每股價(jià)格計(jì)算，公司的投后估值達(dá)到234.5億元（約250億港元）。

2018年6月，英諾賽科完成A輪融資5500萬(wàn)元；

2021年1月，公司完成B輪融資15.02億元；

同月，公司完成C輪融資14.18億元；

2022年2月，公司完成D輪融資26.09億元；

今年4月，英諾賽科剛剛完成了E輪融資，融資金額為6.5億元。合計(jì)五輪融資金額超過60億元。

英諾賽科此次IPO，募資凈額約13.637億港元(按發(fā)售價(jià)范圍中位數(shù)計(jì))：英諾賽科IPO募集所得資金凈額將主要用于擴(kuò)大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能、購(gòu)買并升級(jí)生產(chǎn)設(shè)備與機(jī)器，以及招聘生產(chǎn)人員；研發(fā)并擴(kuò)大產(chǎn)品組合擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡(luò)等方面。此次申請(qǐng)港股上市，英諾賽科計(jì)劃將IPO募集所得資金凈額用于以下項(xiàng)目：

1、60.0%用于擴(kuò)大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能（從截至2023年12月31日的每月10,000片晶圓擴(kuò)大至未來五年每月70,000片晶圓）、購(gòu)買及升級(jí)生產(chǎn)設(shè)備及機(jī)器及招聘生產(chǎn)人員。

2、20.0%用于研發(fā)及擴(kuò)大產(chǎn)品組合，以提高氮化鎵產(chǎn)品在終端市場(chǎng)（如消費(fèi)電子產(chǎn)品、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心）的滲透率。我們計(jì)劃推出新產(chǎn)品，包括低電壓及高電壓氮化鎵晶圓、分立器件及集成電路。

3、10.0%用于擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡(luò)；

4、10.0%用于營(yíng)運(yùn)資金及其他一般公司用途。

英諾賽科招股書鏈接：

https://www1.hkexnews.hk/listedco/listconews/sehk/2024/1218/2024121800032_c.pdf