以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等為代表的第三代先進半導體器件是全球智能、綠色、可持續發展的重要支撐力量，其在光電子，射頻
2023年7月26-28日，2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇將于西安召開。西安電子科技大學微電子學院在讀博士研究生王逸飛
GaN基HEMTs因其在高壓、大功率、高溫等領域的應用前景而備受關注。由于GaN的寬禁帶和高擊穿場強，Gan基器件可以提供更快的開關速
據悉，近日，《科學通報》以《模塊化局域元素供應技術批量制備12英寸過渡金屬硫族化合物》為題，在線發表了松山湖材料實驗室/北
今年5月底產品剛剛上市就訂單不斷，目前銷售產值已經可以達到千萬級，我們正在加緊生產中。北京中科國光量子科技有限公司（以下
2023年7月26-28日，2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇將于西安召開。中國電子科技集團公司第十三研究所重點實驗室副主
近幾年新能源車的爆發，極大地促進了IGBT市場的發展。隨著全球電動車的銷量提升，新能源汽車的不斷普及，對于充電樁的需求日益增
隨著硅半導體材料主導的摩爾定律逐漸走向其物理極限，以第三代半導體為代表的化合物半導體滿足光電子、微波射頻和高效功率電子等
第三屆紫外LED國際會議暨LED產業發展推進大會(中國長治)將于9月5-7日召開。本屆論壇由長治市人民政府、中關村半導體照明工程研發
近日，中國電科43所活性金屬釬焊（AMB）基板一體化封裝先進工藝實現了電路、布線、封裝等多項技術升級，相關技術指標達到國際先
記者6月29日從中國電子科技集團獲悉，該集團旗下中電科電子裝備集團有限公司（簡稱電科裝備）已實現離子注入裝備28納米工藝制程
第三代半導體產業技術戰略聯盟標準T/CASAS 021202X《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）閾值電壓測試方法》已完
【超38億元A輪股權融資創歷史】近日，安徽長飛先進半導體有限公司正式宣布完成超38億元A輪股權融資，融資規模創國內第三代半導體
隨著電力電子應用領域的不斷擴大和需求的增長，絕緣柵雙極型晶體管（簡稱IGBT）作為功率電子器件的核心之一，是能源變換與傳輸的
近日，工業和信息化部副部長辛國斌在新聞發布會上就汽車電動化、智能化、網聯化發展表示，相比電動化，汽車網聯化、智能化變革涉
近日，同濟大學第四代半導體氧化鎵材料項目落地江蘇省無錫市高新區。據悉，同濟大學第四代半導體氧化鎵材料項目利用同濟大學在晶
2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇將于7月26-28日在西安召開。
7月19-21日，由江蘇省工業和信息化廳、南京江北新區管理委員會主辦的2023世界半導體大會暨南京國際半導體博覽會，將亮相南京國際
由山東大學牽頭制定，遵循CASAS標準制定流程，經過標準起草小組會議討論、廣泛征求意見、委員會草案投票等流程，團體標準T/CASAS
據悉，日前，北京集成電路產教融合基地項目已于日前取得建筑工程施工許可證，將全面進入建設階段。該項目預計于2025年9月竣工。