“氮化鎵功率電子器件技術II”分會上，嘉賓們帶來精彩報告，共同探討氮化鎵功率電子器件技術發展。
日本國立材料研究所廖梅勇團隊證明了利用Ib型單晶金剛石（SCD）襯底表面態和深層缺陷的協同效應，可以實現低工作電壓（<5 V）的超高增益DUV光電探測器（PD）。
中國科學院上海微系統所異質集成XOI團隊和南京電子研究所超寬禁帶半導體研究團隊合作，在金剛石基氧化鎵異質集成材料與器件領域取得突破性進展。
江蘇宏瑞興覆銅板生產項目開工。
此次洽談的惠科Mini-LED背光/直顯模組及整機項目，總投資約70億元
天岳先進成功獲得中知（北京）認證有限公司頒發的基于ISO 56005的《創新與知識產權管理能力》等級證書（3級）。
據先導科技集團官微消息，日前，由先導科技集團旗下先導光電子事業部牽頭的安徽省科技創新攻堅計劃-氮化鎵藍光裝備的全鏈條國產
天岳先進與您共探SEMICON Japan 2024科技之旅！
格力電器董事長董明珠在《珍知酌見》 欄目里與新浪財經CEO鄧慶旭對話時透露，格力電器在芯片研發領域取得重大突破。
觀勝半導體科技(合肥)有限公司動土儀式在合肥隆重舉行
科技部黨組書記、部長陰和俊主持召開黨組會，傳達學習中央經濟工作會議精神，研究部署貫徹落實工作。
”氮化鎵功率電子器件技術 I“分會上，嘉賓們齊聚一堂，共同探討氮化鎵功率電子器件技術發展。
德國沉積設備商愛思強宣布，其位于德國黑措根拉特（Herzogenrath）創新研發中心正式揭牌。
天岳先進將繼續秉持“先進 品質 持續”的理念，堅持自主創新，品質引領，為碳化硅行業的廣闊發展貢獻天岳力量。
“碳化硅功率器件及其封裝技術 I”分會上，加拿大多倫多大學電氣與計算機工程系教授吳偉東做了“SiC 功率 MOSFET老化檢測智能柵極驅動器”的主題報告，分享了相關研究進展。
中南大學汪煉成聯合中科院半導體研究所、湖南大學團隊等近年一直致力原位集成超表面光場調控Micro-LED器件研究。
俄羅斯最大的芯片制造商之一Angstrom-T因無力償還990萬美元（約合人民幣7200萬元）債務而宣布破產。
由浙江能訊光電科技有限公司建設的光電集成產品產業化項目在區自然資源和規劃分局完成方案確認手續
上海應用技術大學材料科學與工程學院房永征、劉玉峰教授團隊與國科大杭州高等研究院及美國麻省理工學院（MIT）等國內外單位合作，在二維半導體材料異質外延方面取得重要進展。
北京市新材料產業投資基金”獲得市政府批復設立，整體規模100億元，將投向電子信息材料，以及綠色能源材料、特種及功能材料、前沿新材料等重點領域。