當地時間9月11日，英飛凌科技股份公司（infineon）宣布，公司已成功開發出全球首款300毫米功率氮化鎵（GaN）晶圓技術，并率先在現有的可擴展大批量制造環境中掌握這一突破性技術。

與 200 mm 晶圓相比，300mm 晶圓上的芯片生產在技術上更先進、效率更高，更大的晶圓直徑可以提供2.3 倍的芯片。GaN 基功率半導體正迅速應用于工業、汽車、消費、計算和通信應用，包括 AI 系統電源、太陽能逆變器、充電器和適配器以及電機控制系統。此外，300mm 晶圓通過可擴展性確保了上級客戶供應穩定性。

英飛凌科技股份公司 CEO Jochen Hanebeck 在公告中稱：“這項技術突破將改變行業游戲規則，使我們能夠釋放氮化鎵的全部潛力。在收購 GaN Systems 近一年后，我們再次證明我們決心成為快速增長的 GaN 市場的領導者。作為電力系統的領導者，英飛凌掌握了所有三種相關材料：硅、碳化硅和氮化鎵。”

據悉，英飛凌在其位于奧地利菲拉赫（Villach）的功率晶圓廠中，利用現有的 300mm 硅生產線，成功地在集成中試生產線上制造出 300mm GaN 晶圓，并利用其在現有 300mm 硅和 200mm GaN 生產線上的成熟能力。英飛凌表示將根據市場需求進一步擴大 GaN 產能。

（來源：IT之家）