?2024年8月8日，按照第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化委員會（CASAS）相關管理辦法，經CASAS管理委員會投票通過2項SiC MOSFET測試方面的團體標準立項建議，詳細信息如下：

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秘書處將向CASAS正式成員發出征集起草單位的通知，組建標準起草小組，請CASAS正式成員關注秘書處郵件（[email protected]）。?

T/CASAS 050—202X 面向充電模組的SiC MOSFET動態高溫工作壽命試驗方法基于動態高溫工作壽命試驗（DHTOL），提出一種專門面向充電模組應用場景的可靠性評價方法，主要考察SiC MOSFET在硬開關應力下的動態導通電阻變化，評價和保障SiC MOSFET在充電模組應用環境下的效率和壽命。?

T/CASAS 051—202X SiC MOSFET穩態高溫工作壽命評價方法主要基于穩態高溫工作壽命試驗，結合結溫監測、熱阻測試、電參數測試等，形成一套適用于SiC MOSFET的穩態工作壽命評價方法，為器件、模塊在各種復雜應用場景下的實際工作壽命評價提供基礎性參考。

（來源：第三代半導體產業技術創新戰略聯盟）?

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