?2024年7月25日，由浙江大學、浙江大學杭州國際科創中心牽頭起草的團體標準T/CASAS 34—202X《用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態導通電阻測試方法》、T/CASAS 35—202X《用于第三象限續流的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態導通電阻測試方法》已形成委員會草案，兩項標準委員會草案按照CASAS標準制定程序，反復斟酌、修改、編制而成。起草組召開了多次正式或非正式的專題研討會，得到了很多CASAS正式成員的支持。委員會草案已經由秘書處郵件發送至聯盟常務理事及理事單位。 ? T/CASAS 34—202X《用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態導通電阻測試方法》描述了用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）動態導通電阻測試方法。適用于進行GaN HEMT的生產研發、特性表征、量產測試、可靠性評估及應用評估等工作場景。可應用于以下器件： a)??? GaN增強型和耗盡型分立電力電子器件； b)??? GaN集成功率電路； c)??? 以上的晶圓級及封裝級產品。 ? T/CASAS 35—202X《用于第三象限續流的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態導通電阻測試方法》描述了用于第三象限續流模式（包括硬關斷和零電流關斷）的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）電力電子動態導通電阻測試方法。適用于進行GaN HEMT的生產研發、特性表征、量產測試、可靠性評估及應用評估等工作場景。可應用于以下器件： a)??? GaN增強型分立電力電子器件； b)??? GaN集成功率電路； c)??? 以上的晶圓級及封裝級產品。
標準 | 2項GaN HEMT動態導通電阻測試標準形成委員會草案
發表于：2024-07-30
來源：半導體產業網 編輯：