?2024年6月22日，“新一代半導體晶體技術及應用大會在濟南開幕。本次會議是在第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、山東大學指導下，山東大學新一代半導體材料研究院、山東大學晶體材料國家重點實驗室、濟南市歷城區人民政府、山東中晶芯源半導體科技有限公司、山東華光光電子股份有限公司、極智半導體產業網、第三代半導體產業聯合主辦，并得到了濟南市政府、山東省科技廳的大力支持。
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中國科學院院士，中國科學院原副院長，中國科學院大學原黨委、校長，大會顧問李樹深，中國科學院院士、廈門大學黨委書記、大會主席張榮，中國科學院院士江風益，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長、大會主席吳玲，山東大學黨委常委、副校長蘆延華，山東大學晶體材料國家重點實驗室主任、新一代半導體材料研究院院長、大會主席徐現剛，廣州南砂晶圓半導體技術有限公司董事長王垚浩，山東華光光電子有限公司董事長吳德華，濟南市委副書記、市長于海田，濟南市副市長謝堃，濟南市政府秘書長韓振國，山東省科技廳二級巡視員王洪國等院士、領導、專家，以及相關部門負責領導，產業鏈相關高校院所專家、學者、金融機構代表、產業界領袖等300余位嘉賓代表出席本次論壇。圍繞碳化硅晶體技術及其應用，氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應用，砷化鎵、磷化銦晶體及激光器技術，金剛石和半導體測試技術等主題，深入探討交流新一代半導體晶體技術進展與發展趨勢，分享前沿研究成果，攜手助力我國新一代半導體晶體技術進步和產業發展。濟南市歷城區委書記張軍主持了論壇開幕式環節。
緊隨時代焦點前沿 ?深入推進科研及產業新實踐
新一代半導體作為集成電路產業的重要組成部分，是國家“雙碳”戰略的關鍵支撐，也是保障國家安全和產業鏈安全的重要基石。
作為山東省的省會城市，近年來，濟南市委市政府聚焦“數字濟南”建設，將全面提升集成電路產業發展水平作為數字經濟高質量發展的戰略重點。
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濟南市歷城區委書記張軍主持了論壇開幕式環節
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濟南市委副書記、市長于海田致辭
濟南市委副書記、市長于海田致辭時表示，近年來，濟南市把發展新一代半導體產業作為構建現代化產業體系的重要一環，堅持“緊盯前沿、龍頭牽引、創新培育、打造生態、沿鏈謀劃、集群發展”，加快建設國內領先的第三代半導體產業高地。濟南具備發展新一代半導體的產業，人才、技術優勢，行業影響力和產業競爭力顯著提升，日益成為半導體企業布局落子、投資興業的首選之地。產業的發展需要各方力量的支持，希望大家積極為濟南半導體產業發展壯大把脈問診、建言獻策，將更多創新理念、前沿技術、高端人才、優質項目帶到濟南，共贏未來。
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中國科學院院士、廈門大學黨委書記、大會主席張榮致辭
材料是根本性技術，未來社會發展離不開半導體技術。中國科學院院士、廈門大學黨委書記、大會主席張榮致辭時表示，新一代半導體晶體技術既是未來半導體產業的重要基礎，新質生產力的代表之一，是支持前沿技術發展、國家安全非常重要的基礎性技術，也是國際競爭的焦點。張榮對濟南市新一代半導體產業取得的發展成效給予高度評價，并表示濟南一直走在國內新一代半導體材料研究前列，尤其是新一代金剛石單晶研究具有優勢。半導體晶體技術既是研究領域同時也是產業化方向，希望產學研用能緊密結合，對我國新一代半導體晶體產業和未來半導體發展做出貢獻。
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第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長、大會主席吳玲致辭
在新的地緣政治形勢下，全球半導體產業競爭力格局重塑進入歷史關鍵期，第三代半導體材料是重要突破口，對于國家安全、產業鏈安全都有重要意義。第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長、大會主席吳玲致辭時表示，在綠色、數字化、智能化的時代背景下，第三代半導體是頗具前景的發展賽道，將支持“雙碳”、可持續發展，支撐未來更廣闊的應用需求，為新質生產力的提升做出貢獻。山東具有良好的半導體產業基礎和優勢，希望可以與業界攜手共同促進半導體領域基礎材料的競爭力和創新力。
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山東省科學技術廳二級巡視員王洪國致辭
近年來山東聚焦科技自立自強，著力打造全國重要區域科技創新高地，加快提升科技創新效率，充分發揮企業主體作用，形成了一批代表性企業。山東省科學技術廳二級巡視員王洪國致辭時表示，新一代半導體產業是集成電路領域的重要組成部分，以8英寸碳化硅北方基地為代表的產業技術力量將助力推動山東省打造百億級國家第三代半導體產業高地。科技創新是發展新質生產力的核心要素，企業作為科技創新的主體，是創新成果轉化的中心，山東將不斷深化產學研系統創新，推動原創性、顛覆性科技創新成果，相信在各方力量的協助支持下，可以在全球半導體產業競爭中搶占先機，也希望與業界攜手，在新一代半導體材料、器件關鍵核心材料研發等領域取得突破，助力高水平科技自立自強。
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山東大學黨委常委、副校長蘆延華致辭
新一代晶體材料是引領新一輪科技革命和產業變革的關鍵材料，山東大學在新一代半導體材料領域一直深入研究攻關，尤其是8英寸碳化硅生長等關鍵核心技術突破，帶動相關產業發展。山東大學黨委常委、副校長蘆延華致辭時表示，山東大學將繼續強化技術科研，加快科技成果轉化和應用，支撐山東省打造百億級產業新高地。山東大學將繼續發揮學科、人才優勢，與新一代半導體強勢力量一起，瞄準前沿，強化關鍵核心技術，產業共性技術攻關，為發展新質生產力提供動能，支撐科技自立自強。
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2023年首批省級數字產業重點項目“中晶芯源”投產啟動儀式舉行
碳化硅半導體是山東大學晶體材料國家重點實驗室的核心優勢，也是山東省、濟南市重點布局的高技術龍頭產業。2023年5月，南砂晶圓響應濟南市和山東大學“校地戰略合作”精神，在濟南市歷城區注冊成立“山東中晶芯源半導體科技有限公司”，建設8英寸碳化硅北方基地，助力山東大學服務地方經濟發展。基于山東大學豐富的碳化硅技術積淀和南砂晶圓扎實的產業化基礎，在山東省、市、區各級領導和主管部門的支持下，公司8英寸碳化硅單晶和襯底項目在2023年12月納入國家產業布局。開幕式期間，2023年首批省級數字產業重點項目“中晶芯源”投產啟動儀式舉行，南砂晶圓、中晶芯源8英寸碳化硅北方基地正式投產。
材料技術提升加速 ?持續賦能產業應用發展
大會主旨報告環節，七大重量級報告，深入探討交流新一代半導體晶體技術及應用的最新進展及前沿新方向，共謀創新鏈、產業鏈融合發展。第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副理事長兼秘書長楊富華、廈門大學教授康俊勇共同主持了大會主旨報告環節。
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中國科學院院士、南昌大學教授江風益
《V形PN結銦鎵氮發光及應用》
V形PN結是一種特殊的結構，通常用于InGaN（氮化鎵銦）發光器件中。V形PN結結合了V形結構和InGaN材料的優勢，可以提高發光器件的效率和性能。中國科學院院士、南昌大學教授江風益做了“V形PN結銦鎵氮發光及應用”的主題報告，分享了最新研究成果，研究提出了銦鎵氮V形PN結思想，發現了V缺陷是有益的、能有效減低LED工作電壓/提高發光效率，建立了V缺陷設計制造方法，發明了高光效黃光LED結構及其工藝技術和材料生長高端裝備，有效突破了“黃光鴻溝”難題。創造了無需經過稀土熒光粉轉換的LED照明新產品（無粉照明），照明光源的人眼舒適度得到提升。V缺陷設計制造方法/V形PN結思想及架構有效推動了藍寶石藍光、綠光、黃光、紅光LED工作電壓降低和光效提升。
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北京大學理學部副主任、教授沈波
《AlN體單晶材料和外延材料的制備》
AlN具有超寬的直接帶隙 (6.2 eV)、高擊穿場強等諸多優點，具有既實現高質量氮化物半導體同質外延生長，又滿足高功率密度器件散熱需求的優勢，在紫外光電器件、微波毫米波器件、功率電子器件、射頻濾波器等領域具有重要應用價值。?北京大學理學部副主任、教授沈波做了“AlN體單晶材料和外延材料的制備”的主題報告，分享了北京大學近年來圍繞高質量AlN單晶襯底和外延薄膜的獲得開展的系統工作的研究進展與成果，通過自行研制的PVT專用設備，解決了一系列技術難題，成功研制出2英寸AlN晶體和襯底晶片，初步制備出4英寸AlN晶體。發明數種藍寶石襯底上AlN外延方法，NPSS襯底上AlN外延層XRD搖擺曲線半高寬達132（002）/140（102）arcsec，NPAT襯底上AlN外延層位錯腐蝕坑密度降低到?~104 cm-2。
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芯聯集成電路制造股份有限公司副總裁嚴飛
《SiC大規模產業化》
碳化硅材料、工藝、應用突破難度高，需要全產業鏈齊心協力推進低成本、高質量、大批量的產業化。芯聯集成電路制造股份有限公司副總裁嚴飛做了“SiC大規模產業化”的主題報告，報告指出，SiC方案能顯著提升能效，能夠通過產業化和持續創新消除溢價，是中高壓大功率應用最好的選擇，將承擔最大的增長。SiC產業鏈條即將跨越“臨界點”。通過材料/器件/封裝/系統的全產業鏈協同創新，全SiC方案效益成本比將劇烈提升，從而消除了大規模應用的成本障礙，即使不考慮性能和系統上的改善，能源費用的節省就足以支付SiC相對于Si方案的成本增加。
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山東大學教授、南砂晶圓總經理陳秀芳
《低缺陷碳化硅單晶進展及展望》
近年來 SiC 襯底廠商加速推進 8 英寸襯底的研發和量產進度。山東大學教授、南砂晶圓總經理陳秀芳做了“低缺陷碳化硅單晶進展及展望”的主題報告，分享了導電型碳化硅單晶和半絕緣碳化硅單晶的最新研究進展。報告顯示，目前山東大學6英寸導電型和半絕緣SiC襯底已大規模量產和應用，8英寸導電型襯底已開始產業化。制備了8英寸半絕緣4H-SiC晶體，加工出了8英寸4H-SiC襯底，經拉曼測試，4H晶型面積比例達到100%，無6H和15R等多型夾雜。
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長飛先進半導體副總裁、首席科學家劉紅超
《SiC材料缺陷對器件和良率影響》
SiC是優選的功率半導體材料，具有高能源投入產出比，在電子器件中使用越來越廣泛，但其制造過程中的缺陷會直接影響器件性能和良率。長飛先進半導體副總裁、首席科學家劉紅超做了“SIC材料缺陷對器件和良率影響”的主題報告，分享了相關研究進展與成果，涉及缺陷增長路徑、設備性能缺陷、缺陷引起的可靠性雙極退化、近界面氧化物陷阱引起的缺陷可靠性Vth漂移等。報告指出，降低缺陷密度是一個漫長的過程，從提高材料質量、優化晶圓和組裝工藝都是如此。缺陷可以來自于外延、工藝和組裝等。
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中山大學教授王鋼
《基于金屬有機化學氣相沉積的ε-Ga2O3薄膜摻雜研究》
ε-Ga2O3是一種具有優良電子傳輸性能和寬帶隙的材料，通常用于高功率電子器件的制造。在金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）技術中，摻雜研究可以針對改善材料的電學特性和性能進行調控。中山大學教授王鋼做了“基于金屬有機化學氣相沉積的ε-Ga2O3薄膜摻雜研究”的主題報告，分享了相關研究成果，報告顯示，研究通過H2O作為氧源+兩步法+大切角襯底技術，在c面藍寶石襯底上實現了大尺寸、高質量ε-Ga2O3異質外延:半高寬可以低至約400arcsec，表面為臺階流生長!通過ε-Ga2O3表面F摻雜，獲得高達~1014/cn2的電子面密度，具有類2DEG特性，方塊電阻可達1215Ω/sq:制備的高耐壓MOSFET器件，擊穿電壓可達2.85kV，導通電阻110Qmm，PFOM達到0.29 GW/cm2.處于領先水平!通過ε-Ga2O3的Si摻雜，可以實現1017~1019大范圍載流子濃度調控電陽率最低可達0.09Ω-cm 遷移率最高6.7cm2/(V.s)，各項電學指標均優越;并且制備的SBD器件具有整流特性，在未來大功率器件應用上具有廣闊的應用前景。
山東華光光電子股份有限公司研發部部長朱振
《高功率半導體激光器核心外延材料及芯片研究進展》
高功率半導體激光器的核心外延材料及芯片研究一直是半導體激光器領域的重要研究方向。山東華光光電子股份有限公司研發部部長朱振做了“高功率半導體激光器核心外延材料及芯片研究進展”的主題報告，分享了高功率半導體激光芯片核心技術以及高功率半導體激光芯片研究進展。報告指出，目前主流的紅光6xx nm使用AlGaInP/GaInP材料，近紅外9xx nm使用AlGaAs/InGaAs材料。~800nm的近紅外波段，Ga(In)AsP和Al(In)GaAs材料體系均可實現。其中AlGaAs材料更容易控制組分和均勻性，可以做到更高效率輸出。而GaInAsP材料不含Al，可靠性更優。華光是國內較早實現紅光激光器產業化的企業，單模5-10mW占據國內50%的市場。近期研發的單模650nm 10mW芯片突破85℃高溫考評，進入車規市場。單模650nm高功率芯片突破100mW，多模雙點2.5W芯片在功率及轉換效率上同日本標桿接近。報告認為，高功率半導體激光器芯片在市場需求牽引下發展迅速，已經突破影響激光器的壽命和可靠性問題，實現了從材料、芯片、模組全鏈條產業化。芯片國產化是必然趨勢，隨著成本及價格的降低，市場會進一步擴大，競爭會更加激烈。
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本次論壇除開幕大會，兩天時間里，還設置了四大主題平行論壇，圍繞“碳化硅晶體及其應用”、“氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應用“、“砷化鎵、磷化銦晶體及激光器技術”、“金剛石和半導體測試技術”等主題方向，來自產業鏈的企業及高校科研院所的實力派嘉賓代表將深入研討，攜手促進新一代半導體晶體技術進展及未來發展趨勢，分享前沿研究成果，攜手助力我國新一代半導體晶體技術進步和產業發展。
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?論壇同期還設置了主題展覽，交流晚宴、商務考察等線上線下豐富的活動形式，凝心聚力，助力對接資源，洽談合作。論壇期間，組織安排嘉賓代表們有意向的走訪中晶芯源、浪潮集團/華光光電等，實地了解，探討更多合作可能。?
CASICON 系列活動簡介
“先進半導體產業大會（CASICON）” 是由【極智半導體產業網】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業綜合活動。活動聚焦先進半導體產業發展熱點領域與應用方向，聚合產業相關各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”等形式，促進參與各方交流合作，積極推動產業發展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導體產業發展為己任，持續輸出高質量的活動內容，搭建更好的交流平臺，為產業發展貢獻應盡的力量。
根據現場內容整理? 供參考，更多會議詳細信息，敬請關注半導體產業網！
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