近日，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝 SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)（廣電計(jì)量）全套AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。包括之前通過(guò)測(cè)試認(rèn)證的650V/20A TO-252-3封裝 SiC SBD產(chǎn)品在內(nèi)，芯塔電子已有兩款核心產(chǎn)品通過(guò)此項(xiàng)認(rèn)證。本次認(rèn)證成功通過(guò)，為芯塔電子拓展新能源車用市場(chǎng)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。目前，芯塔電子1200V/80mΩ SiC MOSFET在頭部OBC企業(yè)通過(guò)測(cè)試，已進(jìn)入批量導(dǎo)入階段。

芯塔電子1200V/80mΩSiC MOSFET車規(guī)級(jí)認(rèn)證證書

AEC-Q作為國(guó)際通用的車規(guī)級(jí)電子元器件測(cè)試規(guī)范，目前已成為車用元器件質(zhì)量與可靠性的標(biāo)志，更是打開車載供應(yīng)鏈的敲門磚和試金石。試驗(yàn)項(xiàng)目包含如高溫反偏、溫度循環(huán)、高壓蒸煮、高加速應(yīng)力、高溫高濕反偏等18項(xiàng)測(cè)試，每項(xiàng)都是針對(duì)車用分立器件可能遭遇的環(huán)境來(lái)設(shè)計(jì)，用于驗(yàn)證電子元器件能否滿足各種嚴(yán)苛的應(yīng)用條件、能否經(jīng)受住長(zhǎng)期的高能量沖擊和高頻率開關(guān)。

芯塔電子1200V/80mΩTO-263-7封裝器件及晶圓

隨著新能源汽車800V高壓平臺(tái)的大規(guī)模上車，SiC器件憑借其自身性能優(yōu)勢(shì)進(jìn)入了黃金賽道。芯塔電子針對(duì)新能源汽車車用場(chǎng)景推出了系列SiC應(yīng)用方案，助力新能源車企實(shí)現(xiàn)超級(jí)快充、降低系統(tǒng)成本、增加續(xù)航里程以及實(shí)現(xiàn)輕量化等。

圖一 基于Si MOSFET的6.6kw OBC拓?fù)?/p>

圖1為基于Si MOSFET器件的6.6KW傳統(tǒng)電路拓?fù)洌耙患?jí)DC/DC為兩個(gè)BOOST PFC 交錯(cuò)并聯(lián)，后面一級(jí)DC/DC為 LLC。圖2為基于SiC MOSFET方案的電路拓?fù)洹Ｇ耙患?jí)DC/DC為單個(gè)單相Totem Pole PFC，后一級(jí)DC/DC為L(zhǎng)LC。

圖二 基于SiC MOSFET的6.6kw OBC拓?fù)?/p>

對(duì)應(yīng)前一級(jí)的PFC電路，如果使用Si器件，開關(guān)損耗高、功率器件溫度高，因此單個(gè)單向PFC電路功率有限，需要兩路PFC 交錯(cuò)并聯(lián)來(lái)擴(kuò)展功率。在后一級(jí)LLC電路中，如果使用低壓Si MOSFET作為同步整流，無(wú)法支持高電池電壓（1000V）充電，而使用1200V SiC MOSFET則可以支持高壓電池充電。另外，SiC MOSFET體二極管反向恢復(fù)損耗遠(yuǎn)低于Si MOSFET, 非常適合用于V2G功能的OBC。不僅如此，SiC MOSFET使用還有助于提高OBC效率和功率密度。

本次認(rèn)證充分體現(xiàn)了芯塔電子碳化硅系列產(chǎn)品在可靠性方面的優(yōu)異表現(xiàn)，使得芯塔電子成為國(guó)內(nèi)極少數(shù)多款碳化硅功率器件產(chǎn)品取得車規(guī)級(jí)認(rèn)證的廠商之一，為下游車企及T1客戶選擇提供了權(quán)威參考，同時(shí)也標(biāo)志著芯塔電子已邁入國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅器件及應(yīng)用方案品牌供應(yīng)商行列。未來(lái),芯塔電子將持續(xù)聚焦可再生能源、工業(yè)應(yīng)用和新能源汽車領(lǐng)域，以高性能、高可靠性的產(chǎn)品和創(chuàng)新應(yīng)用方案，持續(xù)為客戶創(chuàng)造價(jià)值。