2023年11月27-30日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門國際會議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，廈門市工業(yè)和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區(qū)管委會、惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。

27日，“Mini/Micro-LED及其他新型顯示技術分會”如期舉行，本屆分會得到了三安光電股份有限公司、納微朗科技（深圳）有限公司、 中微半導體設備（上海）股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、廣東晶科電子股份有限公司、深圳市大族半導體裝備科技有限公司 的協(xié)辦支持。

會上，北京大學教授陳志忠?guī)砹恕袄脺喜劢Y構生長高效率InGaN紅光”的主題報告，分享了溝槽結構的調制與高In含量InGaN的生長、溝槽結構對MQW發(fā)光的影響、溝槽的微觀結構與發(fā)射特性等研究進展與成果。

研究創(chuàng)新性地利用溝槽缺陷來提高紅色InGaN LED的發(fā)光效率。XRD RSM結果表明，由于溝槽缺陷的應變弛豫效應，波長紅移歸因于In成分的增加。高光譜CL成像和共焦PL結果表明，發(fā)光增強源于溝槽缺陷內部的強發(fā)射。特別是在低注入時，溝槽內的紅色MQW是發(fā)射的主要貢獻者。溝槽內比溝槽外更強的發(fā)光主要歸因于屏蔽效應、較弱的極化電場和較低的缺陷密度。總的來說，這項研究提供了對溝槽缺陷的新認識，并探索了實現(xiàn)高效紅色InGaN LED的新途徑。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認，僅供參考?。?/span>