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2023年11月27-30日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于廈門國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，廈門市工業(yè)和信息化局、廈門市科學(xué)技術(shù)局、廈門火炬高新區(qū)管委會(huì)、惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。
作為國(guó)內(nèi)首家以液相法為核心技術(shù)生長(zhǎng)SiC晶體的企業(yè)晶格領(lǐng)域?qū)⒘料啾緦檬?huì)。期間，“碳化硅襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)”技術(shù)論壇上，北京晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理張澤盛將帶來(lái)“液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)研究”的主題報(bào)告，分享最新技術(shù)研究成果與發(fā)展趨勢(shì)，誠(chéng)邀業(yè)界同仁共聚本屆盛會(huì)，交流互通，同議產(chǎn)業(yè)發(fā)展的現(xiàn)在與未來(lái)。
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技術(shù)分論壇：碳化硅襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù) Technical?Sub-Forum:?Technologies for SiC Substrate, Epitaxy Growth and Equipment |
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時(shí)間：2023年11月29日08:25-12:00 地點(diǎn)：廈門國(guó)際會(huì)議中心酒店?? 白鷺廳 Time: Nov 29, 08:25-12:00 Location:?Xiamen International Conference Center ? Egret Hall |
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協(xié)辦支持/Co-organizer: 三安半導(dǎo)體?San'an Co.,ltd 廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司?NAURA Technology Group Co., Ltd.? 賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司 SIAMC Advanced Material Corporation 清軟微視（杭州）科技有限公司 ???T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd.? 九峰山實(shí)驗(yàn)室??JFS Laboratory 德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司??AIXTRON?SE 河北普興電子科技股份有限公司 ?HEBEIPOSHINGELECTRONICSTEC?????? 哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司 KY Semiconductor, Inc |
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屏幕尺寸?/ Slides Size：16:9 |
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主持人 Moderator |
徐現(xiàn)剛 / XU Xiangang 山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)、教授 Professor & Dean of Institute of Novel Semiconductors, Shandong University 馮??淦 / FENG Gan 瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經(jīng)理 General Manager of EpiWorld International Co.,Ltd. 陳小龍/CHEN Xiaolong 中國(guó)科學(xué)院物理研究所研究員 Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences |
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08:25-08:30 |
嘉賓致辭 /?Opening?Address |
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08:30-08:50 |
利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長(zhǎng)SiC和AlN晶體 Growth of bulk SiC and AlN crystals by Physical Vapor Transport in a crucible with presence of TaC Yuri MAKAROV--Nitride Crystals Group Ltd.執(zhí)行總裁 Yuri MAKAROV--President of Nitride Crystals Group Ltd. |
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08:50-09:10 |
200 mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長(zhǎng) 200mm 4H-SiC for high quality thick-layer homogeneous epitaxial growth 薛宏偉--河北普興電子科技股份有限公司總經(jīng)理 XUE?Hong--General Manager of Hebei Poshing Electronic Technology Co., Ltd |
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09:10-09:30 |
High throughput Epitaxy Solution for 150mm and 200mm Silicon Carbide 碳化硅6/8英寸高產(chǎn)能外延解決方案 方子文--德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司中國(guó)區(qū)總經(jīng)理 FANG Ziwen--General Manager, AIXTRON SE of China |
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09:30-09:50 |
大尺寸SiC單晶的研究進(jìn)展Research progress of 8-inch SiC single crystal 楊祥龍--山東大學(xué)副教授/南砂晶圓技術(shù)總監(jiān) YANG Xianglong--Associate professor of Shandong University Technical director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co., Ltd |
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09:50-10:10 |
化合物半導(dǎo)體襯底和外延缺陷無(wú)損檢測(cè)技術(shù) Nondestructive Inspection for Compound Semiconductor Substrate and Epitaxy 周繼樂(lè)--清軟微視（杭州）科技有限公司 總經(jīng)理 ZHOU Jile-- General Manager of T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd |
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10:10-10:25 |
茶歇 / Coffee Break |
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10:25-10:45 |
時(shí)間分辨光譜技術(shù)及其在SiC材料檢測(cè)中的應(yīng)用 Transient Absorption Spectroscopy and Its Applications in Semiconductor Testing 金盛燁--中國(guó)科學(xué)院大連理化所研究員、大連創(chuàng)銳光譜科技有限公司董事長(zhǎng) JIN Shengye--Professor?of Dalian Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Chairman of Dalian Chuangrui Spectral Technology Co., Ltd |
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10:45-11:05 |
8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展 Industrialization progress of 8-inch silicon carbide substrate 趙麗麗--哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長(zhǎng) ZHAO Lili--President of KY Semiconductor, Inc. |
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11:05-11:25 |
精細(xì)石墨——半導(dǎo)體材料制造之柱 Fine Graphite, a pillar for semiconductor material manufacture 吳厚政--賽邁科電子股份有限公司CTO WU Houzheng--CTO of SIAMC Advanced Material Corporation |
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11:25-11:45 |
液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)研究 Research on the Growth Technology of Silicon Carbide Single Crystal by Liquid Phase Method 張澤盛--北京晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理 ZHANG Zesheng--General Manager of Beijing Lattice?Semiconductor Co., Ltd |
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11:45-12:00 |
碳化硅襯底粗研磨和精研磨工藝及耗材技術(shù) ?SiC Substrate Coarse Lapping and ?Fine Lapping Processes and Consumables 苑亞斐?北京國(guó)瑞升科技集團(tuán)股份有限公司研發(fā)總監(jiān) YUAN Yafei ?R&D Director of Beijing Grish Hitech Co., Ltd |
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12:00-12:15 |
熱壁反應(yīng)器在4°離軸襯底上生長(zhǎng)150mm低表面粗糙度4H-SiC外延層 Growth of 150 mm 4H-SiC Epilayers with Low Surface Roughness by a Hot-Wall Reactor on 4° off-Axis Substrates 閆果果--中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所助理研究員 YAN Guoguo--Institute?of?Semiconductors,?Chinese?Academy?of?Sciences? |
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12:00-13:25 |
午休 / Adjourn |
?（備注：本場(chǎng)會(huì)議日程仍在調(diào)整中，僅供參考，最終以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)！）??
晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司于2020年6月成立，是集碳化硅（SiC）襯底研發(fā)、生產(chǎn)及銷售于一體，北京市及順義區(qū)重點(diǎn)關(guān)注的創(chuàng)新型高技術(shù)企業(yè)。 晶格領(lǐng)域是國(guó)內(nèi)首家以液相法為核心技術(shù)生長(zhǎng)SiC晶體的企業(yè)，掌握具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的液相法SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù)。相較當(dāng)前主流的物理氣相傳輸法晶體生長(zhǎng)技術(shù)，液相法能有效提高晶體質(zhì)量，降低生產(chǎn)成本，并能有效解決目前行業(yè)內(nèi)高質(zhì)量4H-p型和3C-n型SiC襯底的產(chǎn)業(yè)化難題。此外，該方法對(duì)于推動(dòng)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。
公司已建成液相法碳化硅襯底制備試驗(yàn)線，并成功生長(zhǎng)出4-6英寸4H-p型SiC晶體。2023年，公司進(jìn)一步開(kāi)發(fā)了2-4英寸3C-n型SiC晶體的液相生長(zhǎng)技術(shù)，6英寸也在研發(fā)中。兩種產(chǎn)品的尺寸、質(zhì)量與厚度均處于國(guó)際領(lǐng)先水平。公司注重人才發(fā)展，擁有多種人才發(fā)展渠道，勵(lì)志打造一支技術(shù)過(guò)硬、業(yè)務(wù)精湛的專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，發(fā)展成為國(guó)際一流的SiC襯底企業(yè)，促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
更多論壇內(nèi)容、活動(dòng)及嘉賓信息，敬請(qǐng)關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)！
附論壇詳細(xì)信息：
會(huì)議時(shí)間 : 2023年11月27-30日
會(huì)議地點(diǎn) :中國(guó)· 福建 ·廈門國(guó)際會(huì)議中心
主辦單位：
廈門市人民政府
廈門大學(xué)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）
承辦單位：
廈門市工業(yè)和信息化局
廈門市科學(xué)技術(shù)局
廈門火炬高新區(qū)管委會(huì)
惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
論壇主題：低碳智聯(lián)· 同芯共贏
程序委員會(huì) ：
程序委員會(huì)主席團(tuán)
主席：
張? ?榮--廈門大學(xué)黨委書(shū)記、教授
聯(lián)合主席：
劉? ?明--中國(guó)科學(xué)院院士、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所所研究員
顧? ?瑛--中國(guó)科學(xué)院院士、解放軍總醫(yī)院教授
江風(fēng)益--中國(guó)科學(xué)院院士、南昌大學(xué)副校長(zhǎng)、教授
李晉閩--中國(guó)科學(xué)院特聘研究員
張國(guó)義--北京大學(xué)東莞光電研究院常務(wù)副院長(zhǎng)、教授
沈? ?波--北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授
徐? ?科--江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)、中科院蘇州納米所副所長(zhǎng)、研究員
邱宇峰--廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原副院長(zhǎng)
盛? ?況--浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授
張? ?波--電子科技大學(xué)教授
陳? ?敬--香港科技大學(xué)教授
徐現(xiàn)剛--山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)、教授
吳偉東--加拿大多倫多大學(xué)教授
張國(guó)旗--荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授
Victor Veliadis--PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、美國(guó)北卡羅萊納州立大學(xué)教授
備注：11月15日前注冊(cè)報(bào)名，享受優(yōu)惠票價(jià)！
＊中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。
＊學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。
＊會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。
＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無(wú)法參會(huì)，可辦理退款事宜，組委會(huì)將扣除已繳費(fèi)金額的5%作為退款手續(xù)費(fèi)。
＊IFWS相關(guān)會(huì)議：碳化硅襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)，氮化物襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)，碳化功率器件及其封裝技術(shù)I、Ⅱ，氮化鎵功率電子器件，氮化鎵射頻電子器件，超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，化合物半導(dǎo)體激光器與異質(zhì)集成技術(shù)、氮化物紫外技術(shù) ；
＊SSL技術(shù)會(huì)議：光品質(zhì)與光健康醫(yī)療技術(shù)，Mini/Micro-LED及其他新型顯示技術(shù)，半導(dǎo)體照明芯片、封裝及光通信技術(shù)，氮化物半導(dǎo)體固態(tài)紫外技術(shù)，光農(nóng)業(yè)與生物技術(shù),化合物半導(dǎo)體激光器與異質(zhì)集成技術(shù)、氮化物紫外技術(shù) ；
＊IFWS會(huì)議用餐包含：28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐和晚餐、30日午餐；
＊SSL會(huì)議用餐：27日晚餐、28日午餐、28日歡迎晚宴、29日午餐。
線上報(bào)名通道：
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組委會(huì)聯(lián)系方式：
1.投稿咨詢
白老師
010-82387600-602
2.贊助/參會(huì)/參展/商務(wù)合作
張女士
13681329411
賈先生
18310277858
余先生
18110121397
協(xié)議酒店：
