?隨著高性能、高功率、高頻率等需求的不斷擴(kuò)展以及技術(shù)的不斷提升，超寬禁帶半導(dǎo)體呈現(xiàn)出越來(lái)越明顯的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，在多個(gè)領(lǐng)域都具有廣泛的應(yīng)用前景。隨著4G和5G移動(dòng)通信、雷達(dá)探測(cè)、軌道交通、光伏發(fā)電、半導(dǎo)體照明、高壓輸變電等應(yīng)用領(lǐng)域的不斷發(fā)展，寬禁帶和超寬禁帶半導(dǎo)體器件已成為國(guó)際半導(dǎo)體器件和材料的研究和產(chǎn)業(yè)化熱點(diǎn)，并不斷的有新的突破提升。

第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。本屆論壇由廈門(mén)市人民政府、廈門(mén)大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，廈門(mén)市工業(yè)和信息化局、廈門(mén)市科學(xué)技術(shù)局、廈門(mén)火炬高新區(qū)管委會(huì)、惠新(廈門(mén))科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。本屆論壇除了重量級(jí)開(kāi)、閉幕大會(huì)，設(shè)有七大主題技術(shù)分會(huì)，以及多場(chǎng)產(chǎn)業(yè)峰會(huì)，將匯聚全球頂級(jí)精英，全面聚焦半導(dǎo)體照明及第三代半導(dǎo)體熱門(mén)領(lǐng)域技術(shù)前沿及應(yīng)用進(jìn)展。

目前，作為IFWS的重要分會(huì)之一的“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)分會(huì)“日程出爐，本屆分會(huì)得到了三安光電股份有限公司的協(xié)辦支持，江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室南京大學(xué)的學(xué)術(shù)支持。分會(huì)上，來(lái)自沙特阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)、中山大學(xué)、電子科技大學(xué)、香港大學(xué)、大阪公立大學(xué)、西安交通大學(xué)、山東大學(xué)、中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十六研究所、吉林大學(xué)、瑞典林雪平大學(xué)、北京郵電大學(xué)、廈門(mén)大學(xué)、桂林電子科技大學(xué)電氣工程學(xué)院、武漢大學(xué)、南京大學(xué)、鄭州大學(xué)、西安交通大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、西安電子科技大學(xué)等國(guó)內(nèi)外實(shí)力派代表性科研力量將齊聚，共同探討超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的前沿發(fā)展趨勢(shì)及最新動(dòng)向。

分會(huì)日程詳情如下

技術(shù)分論壇:?超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù) Technical?Sub-Forum: Technologies for Ultra-wide Bandgap Semiconductors
時(shí)間：2023年11月29日08:30-18:30 地點(diǎn)：廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心酒店?? 1B會(huì)議室 Time: Nov 29, 08:30-18:30 Location:?Xiamen International Conference Center ? 1B?Meeting?Room
協(xié)辦支持/Co-organizer: 三光光電股份有限公司 ??????San’an Co.,ltd 學(xué)術(shù)協(xié)辦/Academic Co-organizer 南京大學(xué)--江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 Jiangsu Provincial Key Laboratory of Photonic and Electrionic Materials Seciences and Technology
屏幕尺寸?/ Slides Size：16:9
主持人 Moderator	龍世兵?/ LONG Shibing 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)、教授 Executive Dean & Professor of School of Microelectronics at University of Science and Technology of China 王宏興/WANG Hongxing 西安交通大學(xué)教授 Professor of Xi'an Jiaotong University 葉建東?/ YE Jiandong 南京大學(xué)教授 Professor of Nanjing University
08:25-08:30	嘉賓致辭 /?Opening?Address
08:30-08:50	氧化鎵異質(zhì)集成功率電子與射頻器件研究 Heterointegration of Ga2O3 enhancing power electronic and RF devices 葉建東--南京大學(xué)教授 YE Jiandong--Professor of Nanjing University
08:50-09:10	基于GaN、AlN、Ga2O3的高集成寬帶隙半導(dǎo)體系統(tǒng) Towards highly integrated wide bandgap semiconductor systems based on GaN, AlN, Ga2O3 李曉航--沙特阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)副教授 LI Xiaohang--Associate professor and Principal Investigator，King Abdullah University of Science and Technology (KAUST)
09:10-09:30	氧化鎵異質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)研究及其應(yīng)用 Research and Application of Gallium Oxide Heteroepitaxial Growth Technology 王鋼--中山大學(xué)教授 WANG Gang--Professor of Sun Yat-sen University
09:30-09:45	高電流密度高擊穿電壓增強(qiáng)型柵控異質(zhì)結(jié)垂直β-Ga2O3 MOSFET High Current Density and High Breakdown Voltage Enhancement-Mode Gate-controlled Heterojunction Vertical β-Ga2O3 MOSFET 蔣卓林--電子科技大學(xué) Jiang Zhuolin--University of Electronic Science and Technology of China
09:50-10:05	基于異質(zhì)外延E模的β-Ga2O3 NMOS集成電路MOSFET Monolithically integrated β-Ga2O3 NMOS IC based on heteroepitaxial E-mode MOSFETs Vishal Khandelwal--沙特國(guó)王科技大學(xué) Vishal Khandelwal--King Abdullah University of Science and Technology,
10:10-10:25	茶歇 / Coffee Break
10:25-10:45	應(yīng)變金剛石在半導(dǎo)體和光電子領(lǐng)域的應(yīng)用 Strained diamond for semiconductor and optoelectronics applications 陸洋--香港大學(xué)教授 LU Yang--Professor of Hongkong University
10:45-11:05	用于實(shí)際器件應(yīng)用的GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)的增強(qiáng)熱性能 Enhanced Thermal Performance in GaN/3C-SiC/Diamond Junctions for Practical Device Applications 梁劍波--大阪公立大學(xué)副教授 LIANG Jianbo--Associate Professor, Osaka Metropolitan University
11:05-11:20	單晶金剛石高效調(diào)控?fù)诫s研究 Research on the high-effectively modulated doping?in single crystal diamond 王若錚--西安交通大學(xué)副教授 Wang Ruozheng--Associate Professor of Xi'an Jiaotong University
11:20-11:35	氫終端接金剛石MESFET的穩(wěn)定性研究 Research on Stability of H-terminated Diamond MESFET 葛磊--山東大學(xué) GE Lei--Shandong University
11:35-11:50	高導(dǎo)熱GaN/金剛石結(jié)構(gòu)制備及器件性能Fabrication and Device Properties of GaN/Diamond Structure with High Thermal Conductivity 孫杰??中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十六研究所工程師 SUN Jie ?Senior Engineer, 46th Research Institute of China Electronics Technology Group
11:50-12:05	先進(jìn)的溝槽結(jié)構(gòu)垂直金剛石二極管實(shí)現(xiàn)高性能Advanced vertical diamond diodes with trench structure towards high performances 劉家煒--吉林大學(xué) Jiawei LIU--Jilin University
12:25-13:30	午休 / Adjourn
13:30-13:50	MOVPE growth of gallium oxide for next generation power electronics Daniela GOGOVA--瑞典林雪平大學(xué) Daniela GOGOVA--linkOPING UNIVERSITY, Sweden
13:50-14:10	超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵外延薄膜沉積技術(shù)及研究進(jìn)展 Research progress and deposition technology of gallium oxide epitaxial thin films 李培剛--北京郵電大學(xué)教授 LI Peigang--Professor of Beijing University of Posts and Telecommunications
14:10-14:30	Ga2O3外延薄膜的電子結(jié)構(gòu)及摻雜機(jī)理 The Electronic Structure and Doping Mechanism in Ga2O3?Epitaxial Thin Films 張洪良--廈門(mén)大學(xué)教授 ZHANG Hongliang--Professor of Xiamen University
14:30-14:50	氧化鎵系列薄膜光電器件初探 Gallium oxide based thin films for Optoelectronic application 張法碧-桂林電子科技大學(xué)電氣工程學(xué)院副院長(zhǎng)、教授 LI Haiou--Professor & Deputy Dean of the School of Electrical Engineering, Guilin University of Electronic Science and Technology
14:50-15:05	高通量界面預(yù)測(cè)與生成方案——以β-Ga2O3/AlN界面為例 High-Throughput Interface Prediction and Generation Scheme: The Case ofβ-Ga2O3/AlN Interfaces 張召富--武漢大學(xué)研究員 ZHANG Zhaofu--Professor of Wuhan University
15:05-15:20	鹵化物氣相外延生長(zhǎng)在（0001）藍(lán)寶石上的（-310）取向β-Ga2O3：生長(zhǎng)和結(jié)構(gòu)表征 (-310)-oriented β-Ga2O3 grown on (0001) sapphire by halide vapor phase epitaxy: growth and structural characterizations 許萬(wàn)里--南京大學(xué) ? XU Wanli--Nanjing University
15:10-15:25	茶歇 / Coffee Break
15:25-15:45	氮化硼半導(dǎo)體材料的制備及其在紫外探測(cè)方面的應(yīng)用 Synthesis of Boron Nitride Semiconducting Materials for VUV/UV-C Detection 殷紅--吉林大學(xué)教授 YIN Hong--Professor of Jilin University
15:45-16:05	六方氮化硼MOCVD生長(zhǎng)機(jī)制研究綜述 ? A Review on Growth Mechanisms of Hexagonal Boron Nitride by MOCVD 劉玉懷--鄭州大學(xué)教授 LIU Yuhuai--Zhengzhou University
16:05-16:25	hBN的LPCVD薄膜生長(zhǎng)及異質(zhì)結(jié)制備 The film growth and heterojunction fabrication of hBN via LPCVD 李強(qiáng)--西安交通大學(xué)副教授 Li Qiang--Associate Professor of Xi'an Jiaotong University
16:25-16:40	Ga2O3/4H-SiC異質(zhì)結(jié)的真空退火工藝研究 Study of vacuum annealing process of Ga2O3/4H-SiC heterojunction 沈毅--復(fù)旦大學(xué) SHEN Yi--Fudan University
16:40-16:55	碳基有源無(wú)源器件研究 Recent Development of Carbon-based Active and Passive Electronic Devices 馮欣--西安電子科技大學(xué)華山準(zhǔn)聘副教授 FENG Xin— Huashan Associate Professor of Xidian University
16:55-17:10	不同終端（h-、O-、F-、OH-）調(diào)制的h-BN/金剛石（111）的界面電子性質(zhì)和能帶排列 Interfacial electronic properties and band alignment of h-BN/diamond (111) modulated by different terminals (H-, O-, F-, OH-) 屈藝譜--鄭州大學(xué) QU Yipu--Zhengzhou University
17:10-17:25	脈沖激光沉積法優(yōu)化金剛石復(fù)合材料異質(zhì)外延氧化鎵薄膜Optimization of Heteroepitaxial Gallium Oxide Thin Films on Diamond Composite Substrates using Pulsed Laser Deposition Method 顧林?--復(fù)旦大學(xué) GU Lin -Fudan university
17:25-17:40	低功率β-Ga2O3單片逆變器 Low power β-Ga2O3 monolithic inverters Dhanu CHETTRI--沙特國(guó)王科技大學(xué) Dhanu CHETTRIKing -Abdullah University of Science and Technology (KAUST)
17:40-17:55	氧化鎵缺陷的研究、合金工程的電子結(jié)構(gòu)調(diào)制和太陽(yáng)能光電探測(cè)器的發(fā)展 Study of Gallium oxide defects, electronic structure modulation of alloying engineering, and development of solar-blind photodetectors 徐祥宇--廈門(mén)大學(xué) XU Xiangyu--Xiamen University?

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（備注：本場(chǎng)會(huì)議日程仍在調(diào)整中，僅供參考，最終以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)！）??

部分嘉賓

龍世兵

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)、教授

龍世兵，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)、教授。長(zhǎng)期從事微納加工、阻變存儲(chǔ)器、超寬禁帶半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的研究。IEEE EDL/TED、Adv. Mater.等多種國(guó)際著名學(xué)術(shù)期刊的審稿人。在IEEE EDL、Adv. Mater.、Nat. Commun.等國(guó)際學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表論文100余篇，SCI他引5500余次，H因子43，6篇論文入選ESI高引論文。申請(qǐng)專(zhuān)利100余項(xiàng)，其中9項(xiàng)轉(zhuǎn)移給國(guó)內(nèi)最大的集成電路制造企業(yè)中芯國(guó)際，74項(xiàng)授權(quán)/受理發(fā)明專(zhuān)利許可給武漢新芯。主持國(guó)家自然科學(xué)基金、科技部（863、973、重大專(zhuān)項(xiàng)、重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃）、中科院、廣東省等資助科研項(xiàng)目20多項(xiàng)。參與獲得國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)、國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)、中國(guó)科學(xué)院杰出科技成就獎(jiǎng)。

王宏興

西安交通大學(xué)教授

王宏興，西安交通大學(xué)教授。2001年至2013年，在日本先后任研究員、高級(jí)研究員、工藝開(kāi)發(fā)負(fù)責(zé)人、執(zhí)行董事、首席顧問(wèn)、研發(fā)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人等職務(wù)。在日本期間先后參加和主持了日本通產(chǎn)省，日本學(xué)術(shù)振興機(jī)構(gòu)以及日本有關(guān)大型公司的重大科研項(xiàng)目和產(chǎn)學(xué)研結(jié)合項(xiàng)目。2013年全職回國(guó)后，承擔(dān)和主持包括國(guó)家基金委重大儀器專(zhuān)項(xiàng)、科技部“863計(jì)劃”、“十三五”重點(diǎn)研發(fā)、國(guó)家自然科學(xué)基金、陜西省統(tǒng)籌等項(xiàng)目，相關(guān)研究已初步實(shí)現(xiàn)小規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。王宏興教授在III-V族半導(dǎo)體薄膜外延生長(zhǎng)及發(fā)光器件，大面積金剛石襯底及高質(zhì)量金剛石薄膜外延生長(zhǎng)，碳納米場(chǎng)致發(fā)射陰極、場(chǎng)致發(fā)射光源及其他場(chǎng)致發(fā)射電子器件，MOCVD設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)、特殊直流CVD設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)、微波等離子體CVD的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)等領(lǐng)域做出了許多創(chuàng)新性工作。

葉建東

南京大學(xué)教授

葉建東，南京大學(xué)教授。曾先后就職于新加坡微電子研究所和澳大利亞國(guó)立大學(xué)。長(zhǎng)期從事寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料、物理與器件研究，主持和完成國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題、國(guó)家優(yōu)秀青年基金、江蘇省杰出青年基金、江蘇省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃等。在IEEE Power Electron. Dev., IEEE Electron Dev. Lett., IEEE Trans. Electron Dev., Appl. Phys. Lett等學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表130余篇，專(zhuān)著1章，申請(qǐng)/授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利15/7項(xiàng)。

李曉航

沙特阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)副教授

李曉航，沙特阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)副教授。致力于第三代半導(dǎo)體超寬禁帶材料、器件、物理、設(shè)備的研究，這些領(lǐng)域預(yù)期會(huì)在未來(lái)對(duì)光電電子通信生化和生命科學(xué)等領(lǐng)域帶來(lái)革命性的影響。李曉航教授是半導(dǎo)體深紫外激光研究的先驅(qū)者之一：首次實(shí)現(xiàn)在藍(lán)寶石上低閾值深紫外激光和260nm以下深紫外激光，首次實(shí)現(xiàn)在同一襯底上半導(dǎo)體TE和TM深紫外激光，首次實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體深紫外表面受激輻射。他也在BAlN和Ga2O3等新型第三代半導(dǎo)體研究做出了開(kāi)創(chuàng)性的成果。他基于物理研究成果創(chuàng)立的Polarization Toolbox軟件已被來(lái)自世界各70多個(gè)大學(xué)公司和科研院所所使用，包括UCSB、Cornell、ASML、IMEC、RIKEN、Facebook等。李曉航教授獲得過(guò)美國(guó)晶體生長(zhǎng)協(xié)會(huì)Harold M. Manasevit Young Investigator Award（全球每?jī)赡暌幻?，系第一位中?guó)人獲該獎(jiǎng)），SPIE研究生年度最高獎(jiǎng)（全球每年一名，系第一位中國(guó)人獲該獎(jiǎng)），和IEEE Photonics Society研究生年度最高獎(jiǎng)（全球每年十名），佐治亞理工學(xué)院和愛(ài)迪生創(chuàng)新基金會(huì)博士生最高獎(jiǎng)（每年一名）。

張洪良

廈門(mén)大學(xué)教授

張洪良，廈門(mén)大學(xué)教授。2012年獲得牛津大學(xué)無(wú)機(jī)化學(xué)博士學(xué)位，2008年新加坡國(guó)立大學(xué)碩士學(xué)位，2003年山東大學(xué)本科。2012-2017年先后在美國(guó)西北太平洋國(guó)家實(shí)驗(yàn)室和劍橋大學(xué)從事博士后工作。研究方向?yàn)椋?）寬禁帶氧化物半導(dǎo)體薄膜外延、能帶調(diào)控及光電探測(cè)器件；（2）過(guò)渡金屬氧化物薄膜電子結(jié)構(gòu)與光、電、磁、催化性能構(gòu)效關(guān)系研究。迄今在Phys. Rev. Lett., Nat. Commun., Adv. Mater.，J. Am. Chem. Soc., Phys. Rev. B.,等發(fā)表論文150余篇，申請(qǐng)專(zhuān)利11項(xiàng)。主持國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題、國(guó)家自然科學(xué)基金委基金、企業(yè)合作研發(fā)等項(xiàng)目8項(xiàng)。曾獲國(guó)家高層次“青年”人才、劍橋大學(xué)Herchel Smith Research Fellowship、臺(tái)灣積體電路制造公司（TMSC）最佳國(guó)際研究生科研獎(jiǎng)。

王鋼

中山大學(xué)教授

王鋼，中山大學(xué)教授，半導(dǎo)體照明材料與器件國(guó)家地方聯(lián)合工程實(shí)驗(yàn)室主任，中山大學(xué)佛山研究院院長(zhǎng)，教育部2007 年度新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃入選者，科技部“十一五”、“十二五”國(guó)家科技重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)（半導(dǎo)體照明專(zhuān)項(xiàng)）總體專(zhuān)家組專(zhuān)家。主要從事寬禁帶氧化物半導(dǎo)體薄膜材料及器件外延制備技術(shù)、電子器件三維異構(gòu)集成芯片3D打印制造技術(shù)、半導(dǎo)體材料高端裝備研發(fā)等方向的研究。

陸洋

香港大學(xué)教授

陸洋，香港大學(xué)教授、香港青年科學(xué)院院士。主要從事微納米力學(xué)研究，特別是對(duì)于低維材料的力學(xué)行為及其尺度效應(yīng)的探索，促進(jìn)其在微機(jī)械、機(jī)電系統(tǒng)、納米技術(shù)及先進(jìn)微納制造等實(shí)際應(yīng)用。

張召富

武漢大學(xué)研究員

張召富，武漢大學(xué)研究員。2019-2022 年在 Cambridge University 的 John Robertson 教授（應(yīng)該皇家科學(xué)院 / 工程院雙院士）課題組擔(dān)任博士后。主要研究方向?qū)捊麕О雽?dǎo)體材料與器件，具有豐富的第一性原理計(jì)算模擬和器件設(shè)計(jì)方面的經(jīng)驗(yàn)， 已經(jīng)在 APL, TED, ACS AMI, Nat. Comm. 等期刊發(fā)表 SCI 期刊論文 100 余篇。擔(dān)任多個(gè)期刊青年編委和審稿人。

劉玉懷

鄭州大學(xué)教授

劉玉懷，鄭州大學(xué)教授、日本名古屋大學(xué)客座教授。主要研究方向?yàn)榈锇雽?dǎo)體材料與器件，主持國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃政府間國(guó)際科技創(chuàng)新合作重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)（基于氮化物半導(dǎo)體的深紫外激光器的研究）、國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、河南省科技攻關(guān)項(xiàng)目等12項(xiàng)。發(fā)表論文與會(huì)議報(bào)告215篇，國(guó)際會(huì)議邀請(qǐng)報(bào)告12次。日本專(zhuān)利公開(kāi)1項(xiàng)、授權(quán)中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利1項(xiàng)、實(shí)用新型項(xiàng)專(zhuān)利1項(xiàng)、軟件著作權(quán)5項(xiàng)。紫外LED技術(shù)轉(zhuǎn)移1項(xiàng)。

李強(qiáng)

西安交通大學(xué)副教授

李強(qiáng)，西安交通大學(xué)副教授。從事寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究，主要研究方向：氧化物半導(dǎo)體材料（氧化銦錫ITO）和超寬禁帶半導(dǎo)體材料（氮化硼B(yǎng)N）的制備與器件應(yīng)用。第一發(fā)明人擁有國(guó)家授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利11項(xiàng)，在國(guó)內(nèi)外重要期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文50余篇。主持國(guó)家及省部級(jí)項(xiàng)目6項(xiàng)，主講國(guó)家一流本科生課程1門(mén)，陜西省精品課程1門(mén)，作為主編之一編寫(xiě)專(zhuān)著1部。

梁劍波

大阪公立大學(xué)副教授

梁劍波，大阪公立大學(xué)副教授，主要從事常溫條件下異質(zhì)半導(dǎo)體材料，半導(dǎo)體材料與金屬，半導(dǎo)體材料與金剛石間的直接鍵合技術(shù)的研發(fā)，以及鍵合界面電學(xué)，熱學(xué)，原子結(jié)構(gòu)以及結(jié)合狀態(tài)特性的研究。主持并參與多項(xiàng)日本國(guó)家重大科研和新型產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新等研究項(xiàng)目。2015年 4月1日-2019 年3月31日，任職于日本大阪市立大學(xué) 工學(xué)研究科電子信息系專(zhuān)業(yè)講師，從事單晶剛石基板和晶剛石半導(dǎo)體器件的研發(fā)，應(yīng)用等離子接合技術(shù)制作高效率大功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)；2017年3月1日-2017年8月31日，任職于英國(guó)布里斯托大學(xué)物理研究所問(wèn)研究員，從事大功率氮化鎵半導(dǎo)體器件的研發(fā)

王若錚

西安交通大學(xué)副教授

王若錚，西安交通大學(xué)副教授。主要從事超寬禁帶半導(dǎo)體金剛石單晶材料及電子器件的研究工作，包括高質(zhì)量單晶金剛石外延生長(zhǎng)，金剛石P/N型調(diào)制摻雜及載流子輸運(yùn)機(jī)理，金剛石功率器件，金剛石微觀結(jié)構(gòu)及材料缺陷等相關(guān)研究。主持國(guó)家自然科學(xué)基金，國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃子課題，軍科委xx主題項(xiàng)目、xx基金項(xiàng)目，GF重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金等，作為骨干參與了國(guó)家自然科學(xué)基金重大儀器專(zhuān)項(xiàng)、面上項(xiàng)目，國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃國(guó)際合作項(xiàng)目，裝發(fā)xx技術(shù)項(xiàng)目，軍科委xx重點(diǎn)課題，陜西省重點(diǎn)研發(fā)課題等。已發(fā)表SCI論文30余篇。

張法碧

桂林電子科技大學(xué)電氣工程學(xué)院副院長(zhǎng)、教授

張法碧，桂林電子科技大學(xué)電氣工程學(xué)院副院長(zhǎng)、教授。研究領(lǐng)域：微電子與固體電子學(xué)。研究方向：紫外探測(cè)材料器件、寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件、二維材料與器件、透明氧化物薄膜與器件、功率器件?！皬V西E層次人才”，"廣西創(chuàng)新人才培養(yǎng)示范"，廣西高校引進(jìn)海外高層次人才“百人計(jì)劃”，“廣西高等學(xué)校千名中青年骨干教師培育計(jì)劃”人選，“日本文部科學(xué)省獎(jiǎng)學(xué)金”獲得者，主持國(guó)家自然科學(xué)基金地區(qū)項(xiàng)目一項(xiàng)，參與兩項(xiàng)；主持廣西中青年基礎(chǔ)能力提升項(xiàng)目一項(xiàng)；主持廣西重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任基金項(xiàng)目三項(xiàng)；參與廣西自然科學(xué)基金兩項(xiàng)。在日本攻讀博士學(xué)位和從事訪問(wèn)學(xué)者期間主要從事氧化物半導(dǎo)體薄膜的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)的研究。

李培剛

北京郵電大學(xué)教授

李培剛，北京郵電大學(xué)教授。2007年3月到2009年6月，作為洪堡學(xué)者（Humboldt Fellow）在德國(guó)于利希研究中心工作，2009年7月至2010年8月作為瑪麗居里學(xué)者（Marie-Curie Fellow），在希臘激光與電子結(jié)構(gòu)研究所和意大利技術(shù)研究所工作。2016年3月至2018年8月，作為訪問(wèn)學(xué)者，在美國(guó)杜蘭大學(xué)物理系進(jìn)行合作研究。主持國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，省自然科學(xué)基金，橫向課題等科研項(xiàng)目10余項(xiàng)。發(fā)表或合作發(fā)表SCI收錄論文160余篇，被引用3近2000次。獲得授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利20余項(xiàng)。

Daniela GOGOVA

瑞典林雪平大學(xué)

殷紅

吉林大學(xué)教授

更多論壇進(jìn)展信息，敬請(qǐng)關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)！

附論壇詳細(xì)信息：

會(huì)議時(shí)間 : 2023年11月27-30日

會(huì)議地點(diǎn) :中國(guó)· 福建 ·廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心

主辦單位：

廈門(mén)市人民政府

廈門(mén)大學(xué)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）

承辦單位：

廈門(mén)市工業(yè)和信息化局

廈門(mén)市科學(xué)技術(shù)局

廈門(mén)火炬高新區(qū)管委會(huì)

惠新(廈門(mén))科技創(chuàng)新研究院

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

論壇主題：低碳智聯(lián)· 同芯共贏

程序委員會(huì) ：

程序委員會(huì)主席團(tuán)

主席：

張? ?榮--廈門(mén)大學(xué)黨委書(shū)記、教授

聯(lián)合主席：

劉? ?明--中國(guó)科學(xué)院院士、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所所研究員

顧? ?瑛--中國(guó)科學(xué)院院士、解放軍總醫(yī)院教授

江風(fēng)益--中國(guó)科學(xué)院院士、南昌大學(xué)副校長(zhǎng)、教授

李晉閩--中國(guó)科學(xué)院特聘研究員

張國(guó)義--北京大學(xué)東莞光電研究院常務(wù)副院長(zhǎng)、教授

沈? ?波--北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授

徐? ?科--江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)、中科院蘇州納米所副所長(zhǎng)、研究員

邱宇峰--廈門(mén)大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原副院長(zhǎng)

盛? ?況--浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授

張? ?波--電子科技大學(xué)教授

陳? ?敬--香港科技大學(xué)教授

徐現(xiàn)剛--山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長(zhǎng)、教授

吳偉東--加拿大多倫多大學(xué)教授

張國(guó)旗--荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授

Victor Veliadis--PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、美國(guó)北卡羅萊納州立大學(xué)教授