歷時一年半，遵循第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟 CASAS技術(shù)報告制定流程，經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)起草小組會議討論、廣泛征求意見等流程，技術(shù)報告T/CASAS/TR 002—2023 《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評價技術(shù)體系報告》于2023年5月26日正式面向產(chǎn)業(yè)發(fā)布。

希望以此報告的編寫，銜接SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈上中下游，助力產(chǎn)業(yè)對該器件可靠性的統(tǒng)一認(rèn)識，凝聚力量，助力SiC MOSFET電力電子應(yīng)用的規(guī)模開啟。由于時間倉促，編寫者水平有限，懇請廣大的產(chǎn)業(yè)一線工作人員及專家們批評指正。

本文件主要起草單位及起草人：

復(fù)旦大學(xué)   樊嘉杰   雷光寅   劉盼   侯欣藍(lán)   陳威 

復(fù)旦大學(xué)寧波研究院   祝曦   左元慧

東南大學(xué)   魏家行

浙江大學(xué)   邵帥   王珩宇   董澤政

中電科第十三研究所   遲雷

重慶大學(xué)   李輝

華北電力大學(xué)   趙志斌

北京智慧能源研究院   李金元 

北京工業(yè)大學(xué)   郭春生

合肥工業(yè)大學(xué)   鄧二平

中國科學(xué)院微電子研究所   侯峰澤

深圳市禾望電氣股份有限公司   謝峰

泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司   李志君

泰克科技（中國）有限公司   孫川

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟   高偉

感謝工業(yè)和信息化部電子第五研究所陳媛研究員、中國科學(xué)院電工研究所張瑾副研究員、浙江大學(xué)吳新科教授、北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司于坤山副總裁、智新半導(dǎo)體有限公司王民研發(fā)部工藝工程師等專家的熱心指導(dǎo)。

文件起草過程中，得到了很多老師的不計回報的無私幫助，收獲感動無數(shù)，不一一細(xì)數(shù)。心所向，同攜手，共未來！在后續(xù)閱讀、使用時，如果遇到描述不準(zhǔn)確，或需要改正的，請聯(lián)系秘書處（010-82386580、[email protected]）。

原文下載：

   T CASAS TR 002 SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評價技術(shù)體系報告.pdf

（來源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟）