化合物半導體是指以SiC、GaN、GaAs為代表的的寬禁帶半導體材料，主要應用于高壓、高溫、高頻場景。隨著應用場景不斷增加，對于化合物半導體的需求越來越大，化合物半導體發展迅速，因此，其芯片產能及制造能力就顯得極為重要。SiC零部件是化合物半導體芯片制造過程中必不可少的高頻耗材，也是唯一接觸晶圓片的零部件，并對芯片性能、制造成本及產能具有重要的影響。
2023年5月5-7日，“2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術發展論壇”將于長沙召開。論壇在第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的指導下，由極智半導體產業網與中國電子科技集團第四十八研究所聯合組織籌辦。
本次論壇上，湖南德智新材料有限公司副總經理、首席技術官余盛杰將出席論壇并帶來《半導體設備用SiC零部件開發及應用》的主題報告，將重點分享化合物半導體設備用SiC零部件性能要求及其對芯片制造的影響，分享德智新材開發的SiC零部件在化合物半導體芯片制造中應用情況，同時展望未來SiC零部件的發展方向。
德智新材也誠摯歡迎各研究院所、高校、產業鏈企事業單位參與討論。
嘉賓簡介
余盛杰，10年+新材料領域科研、產品開發及管理經驗，師從國內SiC資深博導陳照峰教授，南京航空航天大學材料學博士，湖南德智新材料有限公司創始人之一，現任副總經理，湖南省2020年產業項目建設引進100個科技創新人才，湖南省株洲市“雙創人才”。主要從事CVD SiC薄膜、SiC納米線、C/SiC及SiC/SiC復合材料等領域的研究，發表SCI等論文20余篇，其中SCI收錄16篇，EI論文1篇，在SiC涂層領域具有扎實的研究基礎及豐富的技術開發及產業化經驗。
關于德智新材
湖南德智新材料有限公司是一家專注于半導體用SiC涂層石墨耗材研發、生產和銷售的國家級高新技術企業。公司擁有先進自主的裝備技術和一支高度專業的技術研發團隊，具備石墨純化、精密加工、精密檢測、CVD涂層等完整的生產鏈，在SiC涂層石墨工件設計、加工及CVD工藝等方面具有核心專利技術和競爭優勢。目前，德智新材已開發碳化硅外延設備用組件、氮化鎵外延設備用組件、大硅片外延設備用組件、刻蝕環、晶舟等一系列半導體用SiC涂層石墨耗材產品。德智新材將持續投入和優化研發布局，不斷提高產品核心競爭力，持續提供高品質產品，為客戶創造更大價值。
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組織機構
指導單位
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟
主辦單位
極智半導體產業網(www.casmita.com)
承辦單位
中國電子科技集團公司第四十八研究所
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
協辦單位
湖南三安半導體有限責任公司
瀏陽泰科天潤半導體技術有限公司
中車時代電氣股份有限公司
中南大學
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贊助支持
湖南三安半導體有限責任公司
瀏陽泰科天潤半導體技術有限公司
寧波恒普真空科技股份有限公司
蘇州高視半導體技術有限公司
忱芯科技（上海）有限公司
蘇州博宏源機械制造有限公司
江蘇晶工半導體設備有限公司
蘇州德龍激光股份有限公司
北京特思迪半導體設備有限公司
布魯克（北京）科技有限公司
山東海金石墨科技有限公司
湖南德智新材料有限公司
浙江凱威碳材料有限公司
哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司
浙江飛越機電有限公司
中電科風華信息裝備股份有限公司
吉永商事株式會社
鵬城半導體技術（深圳）有限公司
北京媯水科技有限公司
昂坤視覺（北京）科技有限公司
山西中電科新能源技術有限公司
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主題方向
1、宏觀趨勢與產業現狀
·碳化硅全球發展趨勢、現狀及應用前景；
·國內產業政策分析、產業需求研判；
·國產裝備現狀、行業發展痛點及未來展望；
·資金、人才、技術、市場等關鍵要素分析；
2、技術方向與產業環節
·碳化硅晶體生長、加工工藝及相關裝備技術；
·外延材料生長、芯片制造等核心工藝技術及裝備
·封裝材料、工藝及裝備技術；
·氮化鎵、氧化鎵等新型半導體材料、工藝和裝備；
3、產業配套及供應鏈
·襯底、外延、器件等設計軟件及檢測裝備；
·石墨/涂層/清洗/特氣等配套材料、工藝裝備協同優化；
·產品性能/良率/可靠性等要素分析與改進；
·生產流程控制、工藝優化與產業鏈協同創新；
4、規模應用與市場探索
·車用碳化硅/氮化鎵器件技術進展；
·碳化硅功率器件技術進展及應用前景；
·產業化進展及裝備需求；
·市場動力、核心競爭力塑造與面臨挑戰。
時間地點
2023年5月5-7日
湖南·長沙·圣爵菲斯大酒店
日程安排(具體報告陸續更新中)
開幕大會日程安排
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時間 |
主要安排 |
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5月5日 |
09:00-13:00 |
報到&資料領取 |
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13:30-17:30 |
開幕大會+圓桌對話 |
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18:00-21:00 |
歡迎晚宴 |
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5月6日 |
09:00-12:00 |
分論壇1：碳化硅關鍵裝備、工藝及配套材料技術 |
分論壇2：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導體 |
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12:00-13:30 |
午餐&交流 |
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13:30-17:30 |
分論壇1：碳化硅關鍵裝備、工藝及配套材料技術 |
分論壇2：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導體 |
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18:30-20:30 |
晚餐&結束 |
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5月7日 |
09:00-12:00 |
商務考察活動&返程 （中國電子科技集團公司第四十八研究所或泰科天潤或湖南三安半導體） |
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備注：僅供參考，以現場為準。 |
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平行論壇1：
備注：目前報告順序不分先后，最終日程將持續更新，敬請關注！
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平行論壇1：碳化硅關鍵裝備、工藝及配套材料技術 |
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時間：第二天 • 5月6日 • 09:00-12:00,14:00-17:30 |
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主題：SiC MOS器件可靠性制造技術及裝備 嘉賓：王德君--大連理工大學教授 |
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主題：國產化碳化硅注入機發展情況 嘉賓：羅才旺--北京爍科中科信電子裝備有限公司副總經理 |
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主題：SiC MOSFET器件及其應用研究的思路和探索 嘉賓：王俊--湖南大學超大功率半導體研究中心主任，教授 |
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主題：碳化硅產業鏈布局 嘉賓：湖南三安半導體有限責任公司 |
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主題：適配xEV動力域控制器的SIC電機控制器 嘉賓：陳文杰--陽光動力電控研發中心總監 |
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主題：碳化硅器件與水冷散熱器的低溫直連技術探索 嘉賓：梅云輝--天津工業大學電氣工程學院 院長 |
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主題：SIC晶圓全制程質量控制解決方案 嘉賓：鄒偉金--蘇州高視半導體技術有限公司副總經理 |
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主題：碳化硅長晶爐石墨熱場結構的國產化探索 嘉賓：趙麗麗--哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司董事長 |
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主題：碳化硅功率半導體模塊精準動靜態特性與可靠性測試解決方案 嘉賓：陸 熙--忱芯科技技術總監 |
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主題：碳化硅外延核心技術的產業化應用 嘉賓：孔令沂--杭州海乾半導體有限公司董事長 |
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主題：碳化硅材料及器件減薄工藝解決方案 嘉賓：劉國敬--北京中電科電子裝備有限公司副總經理 |
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主題：碳化硅晶圓減薄裝備技術現狀及發展趨勢 嘉賓：尹韶輝--湖南大學教授 |
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主題：大規模量產型碳化硅外延設備技術進展（TBD） 嘉賓：方子文--AIXTRON SE中國區副總經理 |
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主題：碳化硅在新能源汽車中的應用挑戰 嘉賓：TBD |
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主題：碳化硅單晶用碳化鉭技術（TBD） 嘉賓：寧波恒普真空科技股份有限公司 |
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主題：先進拋光技術助力量產型大尺寸碳化硅制造 嘉賓：孫占帥--北京特思迪半導體設備有限公司工藝部部長 |
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主題：半導體設備用SiC部件材料開發及應用 嘉賓：余盛杰--湖南德智新材料有限公司CTO |
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主題：碳化硅同質外延層厚度無損紅外反射光譜法測試分析 嘉賓：雷浩東--布魯克（北京）科技有限公司應用工程師 |
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備注：以上報告順序不分先后，最終日程將持續更新，敬請關注！ |
備注：平行論壇日程安排正在逐一敲定中，后續每日將持續更新！
擬參會單位
山東天岳，天科合達，河北同光，山西爍科晶體，南砂晶圓，東莞天域，英飛凌，安森美， 瀚天天成，瞻芯電子，清純半導體，蔚來汽車，中南大學，湖南大學，基本半導體，士蘭微，高意半導體，中科院半導體所，中科院物理所，武漢大學，武漢理工大學，國防科技大學，AIXTRON SE, 中電科四十六所，中電科二所，中電科十三所，中電科五十五所，晶越半導體，小鵬汽車，山東大學，理想汽車，長安汽車、超芯星，中電化合物，世紀金光，浙江大學，西安交通大學，復旦大學、海乾半導體、富士電機、三菱電機.....
更多報主題安排
平行論壇報告主題安排
1.第三代半導體產業發展現狀及挑戰
2.第三代半導體關鍵裝備的現狀及國產化思考
3.碳化硅器件制造關鍵裝備及國產化進展
4.SiC器件和模塊的最新進展
5.第三代半導體材料外延生長裝備現狀及展望
6.碳化硅涂層石墨盤技術
7.8英寸碳化硅單晶進展
8.國產MBE 設備進展
9.SiC襯底制備技術現狀、趨勢及工藝研究
10.SiC電力電子器件制造及其典型裝備需求
11.SiC功率器件制造工藝特點與核心裝備研發
12.SiC MOS器件結構設計
13.激光剝離設備國產化進展
14.先進碳化坦涂層技術
15.車用碳化硅技術進展
16.銀燒結設備技術
17.SiC高溫熱處理設備及工藝應用
18.激光退火技術
19.SiC外延裝備及技術進展
20.碳化硅離子注入設備技術
21.SiC晶體生長、加工技術和裝備
22.拋光裝備國產化之路
23.8寸碳化硅外延制備技術
24.8寸碳化硅襯底技術進展
25.第三代半導體材料生長裝備與工藝自動化
26.化合物半導體工藝設備解決方案
27.GaN器件及其系統的最新研究進展
28.Si襯底GaN基功率電子材料及器件的研究
29.GaN晶片的光電化學機械拋光加工
30.第三代半導體材料加工設備及其智能化
31.激光技術在第三代半導體領域的應用
32.碳化硅單晶生長用石墨技術
33.碳化硅/氧化鎵等缺陷檢測
34.碳化硅基氮化鎵HEMT技術
35.金剛石半導體技術
36.碳化硅半導體功率器件測試方案
37.碳化硅基氮化鎵產業化進展及裝備需求
38.光隔離探頭測試技術
39.電子特氣在第三代半導體產業中的應用
40.金剛石單晶生長技術
41.SiC單晶制備與裝備研發進展
42.半導體電子特氣國產化進展
43.半導體晶圓清洗設備國產化進展
44.碳化硅IGBT 技術進展及應用前景
45.車用氮化鎵器件技術進展
46.第三代半導體二手設備市場現狀與存在問題
47.硅基氮化鎵MOCVD設備技術進展及趨勢
48.氧化鎵單晶/襯底外延及功率器件技術
備注：以上部分報告主題僅供參考，報告嘉賓正陸續確認中，后續將集中公布。
注冊報名：
1、注冊費2500元，4月29日前注冊報名2200元（含會議資料袋，5月5日歡迎晚宴、5月6日自助午餐、晚餐）。企業展位預定中，請具體請咨詢。
2、交通費、住宿費等自理。
展覽展示
為促進產業鏈企業充分展示交流，組委會開辟出少量展示席位，數量有限，預訂從速。詳情可咨詢會議聯系人。
繳費方式
1、通過銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
2、線上注冊繳費
備注：在線注冊平臺注冊請務必填寫正確，以便后續查詢及開具發票。
3、現場繳費（接受現金和刷卡）
4、收款單位：本屆論壇指定“北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司”作為會議唯一收款單位。
報告及論文發表聯系：
Frank 賈：18310277858，[email protected]
會議報名/參展/贊助咨詢：
賈先生：18310277858，[email protected]
張女士：13681329411，[email protected]
張先生：18601159985，[email protected]
協議酒店：
會議酒店： 長沙圣爵菲斯大酒店
酒店地址：湖南省長沙市開福區三一大道471號
協議房價：
·五星酒店房間：大/ 雙 床房 含雙早 468元/晚
·三星酒店房間：大/雙 床房 含雙早 258元/晚
（備注：三星酒店單獨用餐區用早餐，不能享用酒店健身房和游泳池，具體可咨詢酒店聯系人）
預訂聯系人：李子都 圣爵菲斯大酒店營銷經理
電話:14726987349