據悉，近日，山西省副省長于英杰在太原第一實驗室主持召開國家第三代半導體技術創新中心（山西）推進會。

 

消息顯示，科技部圍繞國家重大區域發展戰略部署，在全國布局國家第三代半導體技術創新中心深圳、南京、蘇州、北京、山西、湖南6個分中心，充分發揮各區域創新和產業優勢，各平臺互有側重、協同創新，局部保持適度競爭，形成“一體統籌規劃、多地分布布局、協同創新聯動”的建設布局。

 

于英杰指出，建設國家第三代半導體技術創新中心是國家的重大戰略需求。各共建單位要解放思想、形成合力，通過體制機制創新、產學研結合等方式，共同推動國創中心（山西）的建設。

 

據介紹，在第三代半導體技術研究方面，中北大學開展了硅基GaN-HEMT、SiC基高溫集成電路、SiC高溫微納器件、SiC電力電子器件與系統等方面的研究。在器件設計方面，所依托的中北大學微納加工中心是國內高校范圍內技術先進的半導體工藝研發平臺。

 

中北大學通過半導體學院、半導體產業技術創新聯盟和省實驗室等平臺的建設，與中電科二所、中科潞安、風華信息裝備等省內半導體龍頭企業建立了長期有效合作，共同開展了半導體裝備、半導體發光等領域重點研發計劃和揭榜掛帥項目研究。