面對外界風險挑戰，芯塔電子堅持本土創新，加大研發投入，攻堅關鍵核心技術，面向三代半新賽道加快構建核心技術優勢。依靠十多年的技術積累，芯塔電子通過與合作單位共同研發柵介質的核心工藝技術，研究柵氧的物理機理，改進了MOS柵的可靠性和溝道遷移率，使得具有自主的知識產權的SiC MOSFET器件具有更小的導通電阻，性能達到國際先進水平。
芯塔電子1200V SiC MOSFET應用測試
國外知名C公司1200V SiC MOSFE應用測試
作為SiC功率器件國產化的先行者，芯塔電子SiC MOSFET的產品設計、制造、封裝等各環節均在國內完成。芯塔電子表示，該系列產品加快了中國SiC MOSFET器件的國產化進程（包括自主的IP、材料、設計、工藝等），彰顯了我司科技創新的核心競爭力。芯塔電子SiC 1200V 80-40mΩ MOSFET器件已經給國內的重要客戶進行了送樣和銷售，包括軍工、新能源汽車、充電樁等領域，同時也已獲得眾多客戶的咨詢和明確需求，預計今年營收會有爆發性增長。
據了解，依靠十多年的技術積累與研發，芯塔電子已形成比較完整的功率器件產品體系，包括6英寸SiC肖特基二極管芯片，650V-1200V 40多種規格的第五代SiC肖特基二極管器件，SiC MOSFET器件和模塊。公司目前已積累上百家客戶資源，并進入了行業標桿客戶。在資本方面，獲得了政府的有力支持和頭部資源投資，此舉將助推公司更加快速的發展。未來，芯塔電子將加快創新驅動，攜手國內第三代半導體產業鏈共同助力中國新能源產業發展。
芯塔電子是國內領先的第三代半導體功率器件和應用解決方案提供商，堅持以自主創新為核心，致力于先進半導體功率器件的國產化。公司擁有業界資深技術團隊，創始人倪煒江博士是中國第三代半導體功率器件研發和量產的先驅者之一。核心團隊來自浙江大學、中科院、海外知名院校及業界知名公司，具有深厚的產品研發能力和產業化經驗。產品應用于風電光伏、高端電源、5G通訊、新能源汽車、充電樁、儲能、電能質量治理、工業變頻、白色家電等領域。
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