功率MOSFET在某些意外條件下會(huì)發(fā)生雪崩操作，例如電網(wǎng)的電壓尖峰、機(jī)械部件的ESD和電感負(fù)載故障。為了評(píng)估功率MOSFET在雪崩條件下的堅(jiān)固性，無(wú)鉗電感開(kāi)關(guān)（UIS）已成為一種標(biāo)準(zhǔn)方法。?
5月22-24日，?“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同主辦。南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院（產(chǎn)教融合學(xué)院）、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司等單位協(xié)辦。?
會(huì)議設(shè)有開(kāi)幕大會(huì)&主旨報(bào)告，以及硅及寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件及集成應(yīng)用，超寬禁帶材料、器件及集成應(yīng)用，功率集成交叉與應(yīng)用，先進(jìn)封裝與異構(gòu)集成等4個(gè)平行論壇，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計(jì)、芯片加工、模塊封裝、測(cè)試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機(jī)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。??
屆時(shí)，廣東工業(yè)大學(xué)副教授周賢達(dá)將受邀出席論壇，并分享《功率MOSFET的非嵌位感性開(kāi)關(guān)》的主題報(bào)告，敬請(qǐng)關(guān)注！
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嘉賓簡(jiǎn)介
周賢達(dá)，2013年博士畢業(yè)于香港科技大學(xué)，隨后在香港工業(yè)界先后負(fù)責(zé)功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)和生產(chǎn)，2017年至2022年擔(dān)任中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院副研究員，自2022年起擔(dān)任廣東工業(yè)大學(xué)集成電路學(xué)院副教授（青年百人A級(jí)）。周賢達(dá)博士在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域擁有完整的產(chǎn)業(yè)化和學(xué)術(shù)研究經(jīng)驗(yàn)，成功推出過(guò)多款量產(chǎn)產(chǎn)品，累計(jì)獲中外發(fā)明專利授權(quán)18項(xiàng)，主持2項(xiàng)國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目，以第一/通訊作者身份在行業(yè)頂級(jí)會(huì)議和權(quán)威期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文12篇，并長(zhǎng)期擔(dān)任《IEEE Electron Devices Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》審稿人和對(duì)口軍工企業(yè)技術(shù)顧問(wèn)。?
廣東工業(yè)大學(xué)是一所以工為主、工理經(jīng)管文法藝教結(jié)合、多科性協(xié)調(diào)發(fā)展的省屬重點(diǎn)大學(xué)、廣東省高水平大學(xué)重點(diǎn)建設(shè)高校，1958年開(kāi)辦本科教育，1995年由原廣東工學(xué)院、廣東機(jī)械學(xué)院和華南建設(shè)學(xué)院（東院）合并組建而成。學(xué)校本部坐落于中國(guó)南方名城廣州，擁有大學(xué)城、東風(fēng)路、龍洞、番禺、沙河、揭陽(yáng)等多個(gè)校區(qū)，校園占地總面積5300畝，環(huán)境優(yōu)美。目前，學(xué)校共設(shè)有25個(gè)學(xué)院、2個(gè)公共課教學(xué)部(中心)、12個(gè)研究機(jī)構(gòu)。廣東工業(yè)大學(xué)的工程學(xué)、材料科學(xué)、計(jì)算機(jī)科學(xué)、化學(xué)、環(huán)境科學(xué)與生態(tài)學(xué)、農(nóng)學(xué)、社會(huì)科學(xué)總論、生物學(xué)與生物化學(xué)、地球科學(xué)等9個(gè)學(xué)科已進(jìn)入ESI全球?qū)W科排名前1%行列，其中工程學(xué)已進(jìn)入前0.3‰。
?組織機(jī)構(gòu)
指導(dǎo)單位：
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
主辦單位：南京郵電大學(xué)極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
承辦單位：南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院（產(chǎn)教融合學(xué)院）北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
協(xié)辦支持：電子科技大學(xué)南京郵電大學(xué)南通研究院蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司
大會(huì)主席：郭宇鋒
聯(lián)合主席：柏松 張波 趙璐冰
程序委員會(huì)：盛況 陳敬 張進(jìn)成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來(lái)利 程新紅 楊媛 楊樹(shù) 張宇昊 劉斯揚(yáng) 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯? 鄧小川 魏進(jìn) 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢(mèng) 明鑫 周春華 等
組織委員會(huì)
主 任：姚佳飛??
副主任：涂長(zhǎng)峰
成 員:?張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等
主題方向
1. 硅基功率器件與集成技術(shù)
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設(shè)計(jì)技術(shù)、器件測(cè)試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、功率集成IC技術(shù)
2. 碳化硅功率器件與集成技術(shù)
碳化硅功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)
3. 氮化鎵、III/V族化合物半導(dǎo)體功率器件與功率集成
氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導(dǎo)體功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)?
4. 氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)
氧化鎵/金剛石功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)
5. 模組封裝與應(yīng)用技術(shù)
功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)與封裝可靠性
6. 面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術(shù)
核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料；退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺(tái)與制造技術(shù)；制造、封裝、檢測(cè)及測(cè)試設(shè)備等
7. 功率器件交叉領(lǐng)域
基于新材料（柔性材料、有機(jī)材料、薄膜材料、二維材料）的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、制造與集成技術(shù)；人工智能驅(qū)動(dòng)的功率器件仿真，建模與設(shè)計(jì)、封裝與測(cè)試
會(huì)議日程
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參會(huì)與擬邀單位
中電科五十五所、電子科技大學(xué)、英飛凌、華虹半導(dǎo)體、揚(yáng)杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統(tǒng)所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導(dǎo)體所、三安半導(dǎo)體、芯聯(lián)集成、斯達(dá)半導(dǎo)體、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、浙江大學(xué)、東南大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、清華大學(xué)、北京大學(xué)、廈門(mén)大學(xué)、南京大學(xué)、天津大學(xué)、長(zhǎng)飛半導(dǎo)體、華為、溫州大學(xué)、明義微電子、海思半導(dǎo)體、瞻芯電子、基本半導(dǎo)體、華大九天、博世、中鎵半導(dǎo)體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識(shí)電子、超芯星、南瑞半導(dǎo)體、西交利物浦大學(xué)、西安理工大學(xué)、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半導(dǎo)體、中科院納米所、平湖實(shí)驗(yàn)室、北京工業(yè)大學(xué)、南方科技大學(xué)、華南師范大學(xué)、立川、國(guó)電投核力創(chuàng)芯、華中科技大學(xué)等……
活動(dòng)參與：? ?
注冊(cè)費(fèi)2800元，5月15日前注冊(cè)報(bào)名2500元（含會(huì)議資料袋，23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）
繳費(fèi)方式
①銀行匯款
開(kāi)戶行：中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行
賬 號(hào)：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
②移動(dòng)支付
備注：通過(guò)銀行匯款/移動(dòng)支付，請(qǐng)務(wù)必備注：?jiǎn)挝缓?jiǎn)稱+姓名+南京，以便后續(xù)查詢及開(kāi)具發(fā)票。若需開(kāi)具發(fā)票請(qǐng)將報(bào)名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開(kāi)票信息發(fā)送至郵箱:[email protected]。
掃碼預(yù)報(bào)名
備注：此碼為預(yù)報(bào)名通道，完成信息提交后，需要對(duì)公匯款或者掃碼支付注冊(cè)費(fèi)。
論文投稿及報(bào)告咨詢：
賈老師? 18310277858??[email protected]
姚老師? 15951945951??[email protected]
張老師? 17798562651? [email protected]?
李老師? 18601994986??[email protected]
贊助、展示及參會(huì)聯(lián)系：
賈先生? 18310277858? ?[email protected]
張女士? 13681329411? [email protected]
投稿模板下載：投稿模板_CSPSD2025.docx? ?文章?lián)駜?yōu)推薦到EI期刊《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)（英文）》。?
會(huì)議酒店
南京熹禾涵田酒店
地址：南京市浦口區(qū)象賢路158號(hào)
酒店聯(lián)系人
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