專利摘要顯示，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光元件技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器。該氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導(dǎo)層、有源層、上波導(dǎo)層、上限制層，上波導(dǎo)層與上限制層之間具有強(qiáng)布里淵光力耦合層；強(qiáng)布里淵光力耦合層的In/C元素比例具有函數(shù)y＝A+x?1/2x第一四象限曲線分布；In/O元素比例具有函數(shù)y＝B+x?1/2x第一四象限曲線分布；In/H元素比例具有函數(shù)y＝C+x?1/2x第一四象限曲線分布；該氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器，能夠降低激光光場耗散，抑制光場模式泄漏到襯底形成駐波，提升遠(yuǎn)場圖像FFP質(zhì)量、光束質(zhì)量因子和激光相干性。

天眼查資料顯示，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以從事計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本8505.7882萬人民幣，實(shí)繳資本1316.6667萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司共對外投資了1家企業(yè)，參與招投標(biāo)項(xiàng)目4次，財(cái)產(chǎn)線索方面有商標(biāo)信息2條，專利信息455條，此外企業(yè)還擁有行政許可12個。