當前，8英寸碳化硅晶圓智能制造圍繞工藝升級、產業(yè)鏈協(xié)同和成本優(yōu)化等方向發(fā)展，技術突破與規(guī)模化應用將推動產業(yè)從“產能擴張”向“高質量交付”轉型，加速新能源、通信等領域的低碳化進程?。

2月27日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”在重慶山城國際會議中心盛大召開。本次論壇由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）與三安光電股份有限公司 共同主辦，極智半導體產業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導體產業(yè)、重慶三安半導體有限責任公司、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦，重慶大學、 重慶郵電大學、湖南三安半導體有限責任公司等單位協(xié)辦。?

28日精彩繼續(xù)，“分論壇一：8英寸碳化硅晶圓智能制造”，圍繞8英寸晶體、外延及器件技術?大規(guī)模生產制造、關鍵耗材及制造工藝優(yōu)化，關鍵材料及工藝裝備、器件及可靠性設計，SiC 器件設計及產品創(chuàng)新應用等主題，來自產業(yè)鏈相關專家、高校科研院所及知名企業(yè)二十余位代表共同深入探討，追蹤最新進展。

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杭州海乾半導體有限公司董事長孔令沂，山東山大華天科技集團股份有限公司總工程師遲恩先，浙江大學特聘研究員任娜，國家新能源汽車技術創(chuàng)新中心總師、動力系統(tǒng)業(yè)務單元負責人劉朝輝，湖南三安半導體有限責任公司技術副總許志維，重慶郵電大學教授、華潤微電子（重慶）有限公司技術專家陳偉中聯(lián)袂主持了本次論壇。

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杭州海乾半導體有限公司董事長孔令沂

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湖南三安半導體科技有限公司總經(jīng)理助理高玉強做了“高質量8英寸碳化硅單晶材料技術發(fā)展與挑戰(zhàn)”的主題報告，報告指出，目前三安8英寸碳化硅單晶材料的質量指標已經(jīng)與6寸量產指標持平甚至超越。

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賽邁科先進材料股份有限公司CTO、副總經(jīng)理吳厚政做了“精細石墨元件：化合物半導體高質量產業(yè)化的關鍵支撐”的主題報告。詳細闡述了精細石墨在復合半導體制造、產品設計以及等石墨結構分析中的應用，重點介紹了碳材料產品設計的關鍵控制點，重點關注產品設計理念和基本產品功能的選擇，先進碳材料的發(fā)展趨勢和行業(yè)內的當前產業(yè)實踐，以及利用精細石墨技術開發(fā)的新產品在化合物半導體工藝中的示范應用等。

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北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司SiC外研工藝技術經(jīng)理胡偉杰做了”SiC外延裝備技術研究及產業(yè)協(xié)同”的主題報告，降低成本是SiC領域的重要訴求，對外延設備帶來更高挑戰(zhàn)，報告詳細分享了SiC外延市場分析及挑戰(zhàn)、SiC材料外延裝備解決方案等最新進展。

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南方科技大學副教授葉懷宇做了”碳化硅器件封裝和失效分析“的主題報告，分享了相關研究成果與進展。

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合肥陽光電動力科技有限公司電控硬件主管萬富翔做了”新一代功率器件并聯(lián)技術在電驅系統(tǒng)的應用“的主題報告，分享了目前市場發(fā)展背景和趨勢，新一代功率器件并聯(lián)平臺的特點，及驅動系統(tǒng)關鍵技術最新進展及研究成果。

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重慶大學教授曾正做了“車用碳化硅功率器件：機遇與挑戰(zhàn)”的主題報告，詳細闡述了車用碳化硅功率器件的行業(yè)需求、應用現(xiàn)狀、技術挑戰(zhàn)和發(fā)展趨勢，為下一代車用碳化硅功率器件的研發(fā)與應用提供參考。

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浙江大學特聘研究員任娜做了“基于P型碳化硅襯底材料的結勢壘肖特基二極管及其光電特性”的主題報告，分享了最新研究成果，研究基于該p型襯底和外延材料研制出了JBS器件，并深入探討了器件的雪崩特性、電導調制效應以及光電特性等。

河南中宜創(chuàng)新芯發(fā)展有限公司董事長孫毅做了“碳化硅半導體粉體進展”的主題報告，分享了相關進展趨勢，報告指出，我國碳化硅材料產業(yè)迎來“百團大戰(zhàn)”，需要合理競爭，建立良性產業(yè)生態(tài)，加強行業(yè)合作，推動國內產業(yè)的快速發(fā)展。

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湖南三安半導體有限責任公司技術副總許志維介紹了三安半導體業(yè)務進展，包括三安SiC MOSFET技術平臺以及后續(xù)規(guī)劃與技術難題等。涉及8吋襯底&外延產品路線圖，SiC分立器件和模塊技術路線等。

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重慶平創(chuàng)半導體CTO王曉做了“納米銅燒結：功率器件封裝互聯(lián)技術的新篇章”的主題報告，介紹了相關研究進展。

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臺達電子企業(yè)管理（上海）有限公司綠能汽車電源設計部電子設計副經(jīng)理王小磊做了“第三代功率半導體在車載電源中的應用和挑戰(zhàn)”的主題報告，分享了新能源汽車市場狀況，功率半導體在車載電源中的應用及挑戰(zhàn)等。

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重慶大學研究員蔣華平做了“碳化硅MOSFET動態(tài)閾值漂移”的主題報告，針對2022年特斯拉Model 3召回事件從器件本體和電路回路參數(shù)差異兩個方面展開分析，揭示碳化硅MOSFET動態(tài)閾值漂移規(guī)律及其背后的物理機理，并提出相應的解決方法。

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埃克斯工業(yè)有限公司總裁李杰做了“AI賦能半導體制造生態(tài)”的主題報告，剖析AI技術在半導體行業(yè)的發(fā)展趨勢，并結合埃克斯自主研發(fā)的核心技術，賦能半導體智能制造，特別是在功率半導體領域，解決產業(yè)在智能化過程中出現(xiàn)的痛點及難點，為國內功率半導體智能制造領域提供解決方案。?

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中南大學教授汪煉成做了“功率半導體模塊關鍵互連集成研究”的主題報告，介紹課題組在功率模塊互連工藝和技術方面研究，包括納米銀燒結機理與致密化工藝研究，BGA-雙面散熱模塊互連，凸臺式襯板互連，銅夾互連等，實現(xiàn)倒裝焊接BGA+納米銀燒結雙面功率模塊，倒裝Spacer 雙面功率模塊，凸臺式DBC功率模塊封裝。

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山東大學副研究員鐘宇做了“高功率碳化硅肖特基二極管技術及產業(yè)化”的主題報告，分享山東大學團隊研發(fā)的碳化硅肖特基二極管工藝，最高能夠承受5000V電壓，單管正向電流高達200A。

芯弦半導體系統(tǒng)應用總監(jiān)王昊做了“實時控制MCU國產化現(xiàn)狀及趨勢”的主題報告，分享了最新趨勢進展。

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華潤微電子產品線高級總監(jiān)馬榮耀做了“SiC MOS技術進步驅動行業(yè)變革”的主題報告，介紹SiC產業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀，目前華潤微在SiC產品技術上的突破和思考以及新SiC產品在應用方案上的表現(xiàn)。

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國家新能源汽車技術創(chuàng)新中心總師、動力系統(tǒng)業(yè)務單元負責人劉朝輝做了“碳化硅芯片先進封裝和熱管理關鍵技術”的主題報告，結合市場發(fā)展背景和趨勢，分享了最新技術進展。

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泰克科技大中華區(qū)技術總監(jiān)張欣做了“從參數(shù)測試道可靠性驗證 新型功率器件的特性表征”的主題報告。報告分享了相關研究進展，并指出當前WBG功率器件面臨諸多挑戰(zhàn)，其中SiC MOSFET 的可靠性問題涉及SiC的柵氧化層可靠性(外在缺陷的測試、SiC的(動態(tài))閾值電壓漂移(BTI)、SiC MOSFET 在高 dv/dt 條件下的可靠性問題。應用端可靠性問題涉及失效機理不清晰，需要在真實應用場景下加速測試等。

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山東山大華天科技集團股份有限公司總工程師遲恩先做了“SiC器件在電能質量優(yōu)化與儲能一體化裝置中的應用”的主題報告，剖析SiC器件面臨的諸多問題、應用展望以及探索。并提出了相應的解決方案，報告指出SiC器件的應用，驅動設計十分重要，尤其應注意合理布線。

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重慶郵電大學教授、華潤微電子（重慶）有限公司技術專家陳偉中做了“SiC MOSFET器件設計與集成技術”的主題報告，分享了相關進展與趨勢。

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論壇期間，浙江大學特任研究員任娜主持下，圍繞著“8英寸碳化硅制造供應鏈最大的挑戰(zhàn)在哪個技術環(huán)節(jié)??”、“目前SiC行業(yè)陷入價格內卷，產業(yè)如何才能健康發(fā)展？”、“?新能源汽車和光伏之后，下一個應用突破口會是什么？”等熱門話題， 山大華天副總經(jīng)理遲恩先、國家新能源汽車創(chuàng)新中心總師劉朝輝?、南砂晶圓副總經(jīng)理于國建、賽邁科副總CTO?吳厚政等嘉賓與與現(xiàn)場觀眾展開探討，分享現(xiàn)場氣氛熱烈。

（論壇內容詳情，敬請關注半導體產業(yè)網(wǎng)、第三代半導體公號）