?2月9日，中國電科官方宣布，其所屬的48所成功實現(xiàn)第三代半導體SiC外延設備的首次大規(guī)模批量發(fā)貨，共計30臺套。這一突破標志著中國在第三代半導體設備領域取得重要進展，也為全球半導體產(chǎn)業(yè)注入了新的活力。

SiC（碳化硅）外延設備是第三代半導體器件制造的核心關(guān)鍵設備之一。與傳統(tǒng)的硅基半導體相比，SiC材料具有耐高溫、耐高壓和高導電性等優(yōu)勢，廣泛應用于新能源汽車、5G通信、航空航天等領域。

然而，由于技術(shù)門檻高、設備復雜，SiC外延設備的研制和產(chǎn)業(yè)化一直是全球半導體領域的難題。中國電科48所歷時多年，攻克了多項關(guān)鍵技術(shù)，成功實現(xiàn)了SiC外延設備的自主研發(fā)和量產(chǎn)。

此次發(fā)貨的30臺套設備不僅在國內(nèi)實現(xiàn)了首次大規(guī)模批量交付，而且已累計出貨百余臺套，并在客戶現(xiàn)場穩(wěn)定運行。這一成績的取得，標志著中國在第三代半導體設備領域已具備較強的國際競爭力。

此外，中國電科48所還注重設備的智能化和自動化設計，引入了先進的AI算法，實現(xiàn)了設備運行狀態(tài)的實時監(jiān)測和優(yōu)化控制。這些創(chuàng)新不僅提升了設備的生產(chǎn)效率，還大幅降低了設備的維護成本，為用戶提供了更高的性價比。