?近日，西湖大學(xué)未來(lái)產(chǎn)業(yè)研究中心、工學(xué)院仇旻課題組成功研發(fā)出一種新型碳化硅光子器件，能夠有效減輕高功率激光加工中的熱漂移問(wèn)題。團(tuán)隊(duì)利用半導(dǎo)體工藝，制備出大口徑、高精度的 4H-SiC 超透鏡，對(duì)標(biāo)高性能商用物鏡，實(shí)現(xiàn)了衍射極限聚焦。經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間高功率激光輻照，器件性能仍然穩(wěn)定，幾乎不受熱吸收影響。這一成果代表了高功率激光系統(tǒng)的重大突破，為其應(yīng)用和效率提升開(kāi)辟了新視野。相關(guān)研究成果以題為“4H-SiC metalens: Mitigating Thermal Drift Effect in High-Power Laser Irradiation”發(fā)表于國(guó)際期刊Advanced Materials。

論文鏈接：?

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https://doi.org/10.1002/adma.202412414

研究背景

在激光加工中，精確的光束聚焦至關(guān)重要。然而，由于傳統(tǒng)物鏡材料熱導(dǎo)率較低，在高功率激光輻照下難以及時(shí)、有效地散熱，導(dǎo)致透鏡因熱應(yīng)力發(fā)生形變或熔化，造成焦點(diǎn)漂移、光學(xué)性能下降，甚至不可逆的損壞。這種熱漂移問(wèn)題不僅影響加工精度，還限制了生產(chǎn)效率和設(shè)備的可靠性。盡管可以采用冷卻裝置來(lái)緩解散熱問(wèn)題，但其增加了系統(tǒng)的體積、重量和成本，降低了器件的集成度和適用性。因此，迫切需要一種在高功率激光加工中既能抑制熱漂移，又能保持高光學(xué)性能和緊湊尺寸的新型光學(xué)器件。

碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、可見(jiàn)光至近紅外波段低損耗，以及優(yōu)異的機(jī)械硬度等卓越特性，在高功率電子器件、高溫高頻器件、光電子學(xué)和光學(xué)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。仇旻課題組憑借二十余年的微納加工技術(shù)積累，針對(duì) 4H-SiC 材料開(kāi)發(fā)了兼容批量化生產(chǎn)的大面積、高深寬比納米結(jié)構(gòu)加工工藝。基于該工藝的廣泛加工能力，團(tuán)隊(duì)參照高性能商用物鏡的光學(xué)指標(biāo)，設(shè)計(jì)了大口徑的 4H-SiC 超透鏡。最終，研究團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)了在嚴(yán)苛條件下穩(wěn)定耐久工作的高性能超透鏡器件，滿(mǎn)足了業(yè)界對(duì)高功率激光加工中透射聚焦器件的嚴(yán)格要求，推動(dòng)了相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

研究亮點(diǎn)

在本研究中，仇旻課題組設(shè)計(jì)并制備了一種同質(zhì)的 4H-SiC 超透鏡，實(shí)現(xiàn)了對(duì)標(biāo)商用物鏡的光學(xué)性能，同時(shí)成功減輕了高功率激光輻照下的熱漂移效應(yīng)（如圖1所示）。選用的 4H-SiC 材料具有高折射率、可見(jiàn)光至近紅外光譜范圍內(nèi)低損耗、優(yōu)異的機(jī)械硬度、耐化學(xué)性以及高熱傳導(dǎo)系數(shù)等優(yōu)點(diǎn)。光學(xué)測(cè)試結(jié)果表明，4H-SiC 超透鏡具備與商用物鏡相當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)性能。在高功率激光輻照測(cè)試中，模擬了嚴(yán)苛工況下的長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)加工，4H-SiC 超透鏡展現(xiàn)了穩(wěn)定的性能，同時(shí)擺脫了對(duì)復(fù)雜冷卻系統(tǒng)的依賴(lài)，為 SiC 光子學(xué)開(kāi)辟了新的應(yīng)用前景。

圖1.4H-SiC超透鏡（左）與傳統(tǒng)物鏡（右）的熱漂移效應(yīng)示意圖

這款 4H-SiC 超透鏡對(duì)標(biāo)高性能商用物鏡（Mitutoyo 378-822-5），設(shè)計(jì)目標(biāo)為 0.5 數(shù)值孔徑（NA）和 1 cm 焦距。值得注意的是，4H-SiC 超透鏡的孔徑寬度為 1.15 cm，超過(guò)高功率激光器通常產(chǎn)生的光束尺寸，具有廣泛的適配性。為兼顧設(shè)計(jì)與制備，器件采用了各向同性的納米柱作為超胞（如圖2a 所示），高度為 H = 1 μm，以截?cái)嗖▽?dǎo)的形式提供動(dòng)態(tài)相位。相鄰超胞之間的周期為 P = 0.6 μm，在該周期下可以實(shí)現(xiàn)衍射極限聚焦。由于 4H-SiC 的雙折射會(huì)導(dǎo)致 x 和 y 偏振入射之間出現(xiàn)輕微的相位差，研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)最小化品質(zhì)因數(shù)來(lái)優(yōu)化每個(gè)超胞。最終得到 8 種尺寸的超胞（圖2b-d），每個(gè)選定的超胞在 1.060 μm 波長(zhǎng)下實(shí)現(xiàn)對(duì)應(yīng)目標(biāo)的相位調(diào)制，同時(shí)具有大于 0.85 且對(duì)偏振不敏感的高透射率。

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圖2.4H-SiC超表面單元的光學(xué)響應(yīng)

4H-SiC 超透鏡的制備采用了電子束光刻、物理氣相沉積和電感耦合等離子體刻蝕等一系列半導(dǎo)體加工工藝。在 1.15×1.15 cm2 的襯底表面上加工了完全填充的高深寬比納米柱。如圖3a-e 所示，通過(guò)掃描電子顯微鏡和原子力顯微鏡測(cè)得結(jié)構(gòu)周期為 600 nm，填充因子為 0.3 至 0.78，結(jié)構(gòu)高度為 1.009 μm。樣品表征結(jié)果證明了加工工藝的優(yōu)異性。這種大面積、高精度、高深寬比的超表面制備方法可應(yīng)用于同類(lèi)器件，實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)。

利用自主搭建的透射顯微成像系統(tǒng)（如圖3f 所示）對(duì) 4H-SiC 超透鏡的光學(xué)性能進(jìn)行了測(cè)試。該系統(tǒng)將波長(zhǎng)為 1030 nm 的平行激光垂直引導(dǎo)至 4H-SiC 超透鏡上，通過(guò)同軸顯微鏡系統(tǒng)實(shí)現(xiàn) CCD 成像。在焦平面 ±35 ?m 范圍內(nèi)進(jìn)行步進(jìn)掃描測(cè)試，獲得了焦平面和焦場(chǎng)的成像（如圖3g-h 所示）。數(shù)據(jù)分析顯示，1 cm 焦距處的焦場(chǎng)呈現(xiàn)平滑的高斯分布。焦平面測(cè)試中的光強(qiáng)分布展現(xiàn)了優(yōu)異的聚焦性能（圖3i-j），焦點(diǎn)的半高全寬為 2.9 μm。根據(jù)測(cè)試結(jié)果計(jì)算得出，4H-SiC 超透鏡的聚焦效率為 96.31%。使用光功率計(jì)測(cè)量 4H-SiC 超透鏡的入射面和出射面，測(cè)得器件的透射率為 0.71。基于這些光學(xué)測(cè)試結(jié)果，4H-SiC 超透鏡展現(xiàn)出與商用物鏡相媲美的光學(xué)指標(biāo)，能夠在激光加工系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)相同的加工能力。

圖3. 4H-SiC超透鏡形貌表征與光學(xué)測(cè)試

為了模擬激光加工中嚴(yán)苛的高功率連續(xù)加工條件，在熱漂移測(cè)試中采用了與光學(xué)測(cè)試相同的光路，但光源替換為 15 W 1030 nm 激光器。分別測(cè)試了 4H-SiC 超透鏡和商用物鏡在連續(xù)工作 1 小時(shí)內(nèi)的器件溫度、焦平面和切割效果的變化。通過(guò)紅外熱成像儀測(cè)得的器件表面溫度變化如圖4a-b 所示。在高功率激光照射 60 分鐘后，4H-SiC 超透鏡的器件溫度僅上升了 3.2℃，溫度變化僅為物鏡（升溫 54.0℃）的 6%。與傳統(tǒng)物鏡相比，4H-SiC 超透鏡在沒(méi)有附加冷卻組件的情況下，運(yùn)行約 10 分鐘后即可達(dá)到穩(wěn)定溫度，且溫度變化較小、工作溫度更低。這種卓越的熱管理性能展現(xiàn)了 4H-SiC 超透鏡在苛刻工況下的有效性。

為了反映器件光學(xué)性能的變化，利用 CCD 記錄了 1 小時(shí)內(nèi)器件焦平面偏移的情況（如圖4c-d 所示）。測(cè)試結(jié)果表明，4H-SiC 超透鏡的焦點(diǎn)沒(méi)有明顯偏移，而商用物鏡的焦點(diǎn)在 30 分鐘后出現(xiàn)明顯偏移，最終由于過(guò)度偏移導(dǎo)致 CCD 無(wú)法成像。通過(guò)圖像處理得到焦點(diǎn)的半高全寬和中心坐標(biāo)，將焦點(diǎn)坐標(biāo)與初始位置進(jìn)行比較，得到了面內(nèi)位移數(shù)據(jù)。經(jīng)過(guò) 1 小時(shí)的高功率激光連續(xù)照射，移動(dòng) Z 軸平臺(tái)回到焦平面的位移距離，得到器件沿光軸方向的偏移量。商用物鏡的焦平面偏移為 213 μm，而 4H-SiC 超透鏡的焦平面偏移僅為 13 μm，表明其在高功率激光連續(xù)輻照期間具有出色的光學(xué)穩(wěn)定性和一致性。

使用相同的光路進(jìn)行激光切割實(shí)驗(yàn)，比較了實(shí)際激光切割過(guò)程中熱漂移對(duì)加工效果的影響。實(shí)驗(yàn)選用加工難度極高的 4H-SiC 晶圓作為被切割材料。通過(guò)步進(jìn)掃參測(cè)試校準(zhǔn)切割光路，校準(zhǔn)后每隔 10 分鐘沿 x 方向切割，記錄 1 小時(shí)內(nèi)的切割效果變化。利用光學(xué)顯微鏡表征被切割晶圓橫截面的切割形貌（如圖4e-f 所示）。結(jié)果顯示，4H-SiC 超透鏡在工作 60 分鐘后，激光切割性能保持穩(wěn)定，而商用物鏡的焦點(diǎn)在 30 分鐘后明顯向襯底內(nèi)部偏移。數(shù)據(jù)分析發(fā)現(xiàn)，4H-SiC 超透鏡在工作 1 小時(shí)后切割深度的變化量?jī)H為商用物鏡變化量的 11.4%。實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了焦平面偏移的測(cè)試，體現(xiàn)了 4H-SiC 超透鏡在實(shí)際工業(yè)應(yīng)用中更優(yōu)異的器件穩(wěn)定性。

圖4. 高功率激光輻照下4H-SiC超透鏡熱漂移測(cè)試

總結(jié)與展望

本研究提出了一種能夠減輕高功率激光加工中熱漂移問(wèn)題的 4H-SiC 超透鏡。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，4H-SiC 超透鏡憑借其卓越的熱導(dǎo)率，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和光學(xué)性能。該超透鏡對(duì)標(biāo)高性能商用物鏡的光學(xué)指標(biāo)，基于納米柱超胞，實(shí)現(xiàn)了對(duì)偏振不敏感的高效聚焦。通過(guò)兼容量產(chǎn)的半導(dǎo)體加工工藝，成功解決了大口徑 4H-SiC 超透鏡的制備難題。實(shí)驗(yàn)顯示，該超透鏡在設(shè)計(jì)焦距處實(shí)現(xiàn)了衍射極限聚焦，并在高功率激光連續(xù)輻照下表現(xiàn)出卓越的穩(wěn)定性，焦點(diǎn)偏移極小，遠(yuǎn)優(yōu)于商用物鏡。在激光切割應(yīng)用中，使用該超透鏡的切割形貌變化較小。這些結(jié)果凸顯了 4H-SiC 超透鏡相較于傳統(tǒng)物鏡的卓越性能，而傳統(tǒng)物鏡通常需要復(fù)雜的冷卻系統(tǒng)才能達(dá)到類(lèi)似的穩(wěn)定性水平。展望未來(lái)，隨著進(jìn)一步的研究和優(yōu)化，4H-SiC 超透鏡有望在高功率激光系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用，推動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展。憑借其緊湊的設(shè)計(jì)和卓越的光學(xué)與熱性能，這種新一代超表面器件可應(yīng)用于增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)、航空航天和激光加工等領(lǐng)域，有效解決當(dāng)前工業(yè)中的關(guān)鍵熱管理問(wèn)題。浙江大學(xué)-西湖大學(xué)聯(lián)合培養(yǎng)博士研究生陳博取和孫瀟雨為共同第一作者，西湖大學(xué)仇旻教授、季華實(shí)驗(yàn)室潘美妍副研究員、慕德微納（杭州）科技有限公司杜凱凱博士、西湖大學(xué)光電研究院趙鼎研究員為論文共同通訊作者。研究工作得到國(guó)家自然科學(xué)基金和廣東省基礎(chǔ)與應(yīng)用基礎(chǔ)研究基金支持，同時(shí)得到了西湖大學(xué)未來(lái)產(chǎn)業(yè)研究中心、先進(jìn)微納加工與測(cè)試平臺(tái)的大力支持。

來(lái)源：西湖大學(xué)未來(lái)產(chǎn)業(yè)研究中心、工學(xué)院仇旻課題組?