?2024年11月18日，2024寬禁帶功率半導體技術路線圖研討會在蘇州洲際酒店成功舉辦。本次會議聚焦寬禁帶半導體技術的最新進展、應用挑戰(zhàn)及未來發(fā)展方向，會議邀請了國內(nèi)外眾多專家學者、行業(yè)翹楚及科研機構(gòu)代表的參會。

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）在2018年組織編制和發(fā)布了《第三代半導體電力電子技術路線圖》，并組織專家參與IEEE的國際寬禁帶功率半導體技術路線圖委員會（ITRW）工作，隨著技術的不斷進步和市場的持續(xù)拓展，聯(lián)盟擬組織對技術路線圖進行全面更新，并組織國內(nèi)產(chǎn)學研力量參與ITRW國際路線圖制定工作。

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會委員吳玲致辭中表示半導體技術的發(fā)展推動人類社會正加速邁入智能世界，數(shù)字化、智能化、低碳化成為發(fā)展趨勢，全球正在經(jīng)歷新一輪電氣化進程，交通運輸、大算力設施等新興應用的快速布局對更加高效、更加強勁的電能處理能力提出了迫切的需求，也成為下一代電力電子系統(tǒng)研發(fā)的新動力（300152）。聯(lián)盟多年來致力于圍繞產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)建創(chuàng)新鏈，促進產(chǎn)學研合作以及跨界應用的開放協(xié)同創(chuàng)新，為行業(yè)提供廣泛的交流與合作平臺。感謝各界對聯(lián)盟工作的支持，歡迎更多科研機構(gòu)和企業(yè)加入新版技術路線圖的編制，能夠推動形成更多產(chǎn)業(yè)共識，促進國際交流合作。

IEEE寬禁帶功率半導體技術路線圖委員會(ITRW)主席Victor Veliadis博士詳細介紹了ITRW國際路線圖委員會的背景、職責及未來規(guī)劃以及國際前沿信息。

聯(lián)盟青委會共同主任西安交通大學王來利教授分享了關于新版技術路線圖規(guī)劃的建議，提出了針對寬禁帶半導體技術未來發(fā)展的關鍵領域和研究方向。

討論環(huán)節(jié)，與會專家圍繞“新版技術路線圖的關鍵更新應包括什么內(nèi)容”和“如何增強CASA與ITRW路線圖之間的合作”兩大議題展開了深入交流。專家們一致認為，寬禁帶半導體技術在提高能效等方面具有重要作用，并強調(diào)通過國際合作推動技術商業(yè)化進程的必要性和緊迫性。

SiC技術在電力電子領域的應用日益廣泛，特別是在電動汽車充電站、能源存儲系統(tǒng)和太陽能逆變器等方面展現(xiàn)出巨大潛力。與會專家就SiC材料的生長、器件制造和封裝技術的最新進展進行了深入探討，并關注了高溫、高電壓應用中的可靠性問題。

GaN技術因其高頻、高效率的特點，在射頻(RF)通信和電源轉(zhuǎn)換領域受到廣泛關注。會議中提到了GaN器件在無線充電、數(shù)據(jù)中心電源供應和消費電子中的應用案例，并探討了如何通過集成驅(qū)動和保護電路來提高系統(tǒng)性能。此外，專家們還就GaN材料和器件的最新研究方向，如實現(xiàn)更高電壓等級和降低制造成本等議題進行了熱烈討論。

在寬禁帶半導體技術的未來路線圖方面，與會專家一致認為制定明確的未來路線圖對于指導行業(yè)發(fā)展至關重要。專家們呼吁通過國際合作，結(jié)合不同國家和地區(qū)的研究力量，共同推動寬禁帶半導體技術的創(chuàng)新與發(fā)展。同時，他們也強調(diào)了教育和培訓在技術推廣中的重要性，建議通過制定教育計劃和培訓材料來培養(yǎng)下一代工程師和產(chǎn)業(yè)工人。

會議還關注了國際合作與標準化在推動寬禁帶半導體技術發(fā)展中的作用。專家們認為，通過國際會議和工作組活動可以促進不同國家和地區(qū)之間的信息交流和技術合作，而通過標準化工作可以確保不同制造商生產(chǎn)的寬禁帶半導體器件和模塊的互操作性和兼容性。

在談到行業(yè)挑戰(zhàn)與機遇時，與會者表示，盡管寬禁帶半導體技術面臨成本、可靠性和制造工藝等挑戰(zhàn)，但其在提高能效和減少環(huán)境影響方面的潛力巨大。專家們建議通過技術創(chuàng)新和市場策略來克服這些挑戰(zhàn)，并抓住寬禁帶半導體技術帶來的市場機遇。同時，他們也強調(diào)了政府政策和資金支持在推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的重要性。

相信在全球各界的共同努力下，寬禁帶半導體技術將在不久的將來迎來更加廣闊的發(fā)展前景。