Micro-LED 被視為繼LCD 和 OLED 之后的新一代革命性顯示技術(shù)。其具有自發(fā)光、高效率、低功耗、高集成、高穩(wěn)定性、全天候工作的優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是最有前途的下一代新型顯示與發(fā)光器件之一。

近日，由蘇州實(shí)驗(yàn)室、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦的第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。

席光義

元旭半導(dǎo)體科技股份有限公司董事會(huì)主席兼CEO

期間，“Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)”上，元旭半導(dǎo)體科技股份有限公司董事會(huì)主席兼CEO席光義做了“從芯到屏 智顯未來——開啟Micro-LED智慧顯示時(shí)代”的主題報(bào)告，分享了Micro-LED顯示技術(shù)的機(jī)遇、挑戰(zhàn)與創(chuàng)新方向。

Micro-LED是第三代半導(dǎo)體光電子領(lǐng)域中的重中之重。主要應(yīng)用于消費(fèi)電子領(lǐng)域，包括高清顯示屏/電視、AR/VR設(shè)備等。隨著技術(shù)的不斷成熟和成本的逐步下降，Micro-LED有望在更多領(lǐng)域得到應(yīng)用。新型LED顯示產(chǎn)品進(jìn)入商業(yè)化階段，性價(jià)比快速提升。MicroLED芯片開發(fā)對(duì)降本和性能提升意義重大。?

隨著P1.5以下產(chǎn)品的滲透以及Micro-LED的市場(chǎng)熱度，COB的市場(chǎng)占有率也在逐漸提高，品牌活躍度不斷提高，未來呈快速增長(zhǎng)之勢(shì)。受技術(shù)突破、成本降低、產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)步等因素的推動(dòng)下，LED顯示向集成化方向發(fā)展，預(yù)計(jì)MicroLED在未來三年出現(xiàn)重大進(jìn)步。Micro-LED關(guān)鍵技術(shù)突破后，將進(jìn)入Micro-LED集成顯示時(shí)代。“性能提升+成本下降”成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展驅(qū)動(dòng)力。?

報(bào)告中分享了激光剝離技術(shù)、巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)、Micro-LED燈驅(qū)一體有源驅(qū)動(dòng)技術(shù)等多項(xiàng)技術(shù)趨勢(shì)。Micro LED顯示擁有優(yōu)越的性能，但是在技術(shù)層面還有待突破，其中一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)是外延襯底的剝離。基于GaN發(fā)光材料的Micro LED芯片，由于GaN與藍(lán)寶石晶格失配度較低且價(jià)格低廉，所以藍(lán)寶石襯底成為外延生長(zhǎng)GaN材料的主流襯底。但是，藍(lán)寶石襯底的不導(dǎo)電性、差導(dǎo)熱性影響著Micro LED器件的發(fā)光效率;同時(shí)，脆性材料藍(lán)寶石不利于Micro LED在柔性顯示方向的運(yùn)用，基于以上原因及MicroLED顯示本身分辨率高、亮度高、對(duì)比度高等優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)，激光剝離藍(lán)寶石是必要且關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，且激光剝離技術(shù)更能凸顯Micro LED的優(yōu)勢(shì)。激光剝離環(huán)節(jié)實(shí)質(zhì)上是一個(gè)單脈沖掃描的過程，利用高能脈沖激光束穿透藍(lán)寶石基板，因此對(duì)激光束的均勻度和穩(wěn)定性有極高的要求，目前全球擁有該項(xiàng)技術(shù)并能用于穩(wěn)定生產(chǎn)的企業(yè)不多。?

巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)將助MIP技術(shù)路線走向量產(chǎn)，巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)是一種專門用于Micro-LED顯示技術(shù)中的關(guān)鍵步驟，旨在將大量微小的LED芯片從生長(zhǎng)基板高效、精確地轉(zhuǎn)移到目標(biāo)驅(qū)動(dòng)基板上，以構(gòu)建高密度、高質(zhì)量的顯示陣列。巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的發(fā)展對(duì)Micro-LED顯示技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程具有深遠(yuǎn)影響。通過提高轉(zhuǎn)移效率和良率，降低生產(chǎn)成本，Micro-LED技術(shù)將更具市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。?

Micro-LED顯示技術(shù)有無(wú)源驅(qū)動(dòng)(PM)和有源驅(qū)動(dòng)(AM)兩種驅(qū)動(dòng)方式。驅(qū)動(dòng)方式不同，Micro-LED像素單元驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)也不同。由于無(wú)源驅(qū)動(dòng)采用掃描的方式，每一個(gè)時(shí)刻內(nèi)僅有一行像素在發(fā)光，占空比較小且瞬時(shí)亮度高，存在掃描線。而采用有源驅(qū)動(dòng)方式時(shí)各像素獨(dú)立可控，是未來Micro-LED技術(shù)進(jìn)步的方向。在有源驅(qū)動(dòng)電路中，每一個(gè)Micro-LED像素都有各自獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)電路，雙晶體管單電容2T1C電路是最基本的有源矩陣驅(qū)動(dòng)電路。有源驅(qū)動(dòng)方式克服了像素在掃描時(shí)存在的串?dāng)_問題，讓像素單元有更長(zhǎng)的點(diǎn)亮?xí)r間，使Micro-LED顯示器擁有更高的顯示亮度。

目前，元旭半導(dǎo)體以自研Micro-LED顯示芯片和先進(jìn)集成封裝技術(shù)作為強(qiáng)支撐，聚焦于新一代智慧顯示產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與創(chuàng)新，形成從Micro-LED顯示芯片、先進(jìn)集成封裝到新一代智慧顯示產(chǎn)品的垂直整合智造，在成本控制和產(chǎn)品性能特征方面實(shí)現(xiàn)跨越式提升。元旭半導(dǎo)體Micro-LED顯示面板產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于大型會(huì)議中心、商業(yè)顯示、XR虛擬拍攝、家庭影院等新型智慧顯示領(lǐng)域。?

元旭半導(dǎo)體持續(xù)深化"從芯到屏"的一站式產(chǎn)業(yè)化戰(zhàn)略布局，核心優(yōu)勢(shì)在于半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚研發(fā)實(shí)力和產(chǎn)業(yè)鏈的全面整合，在芯片設(shè)計(jì)、微型化薄膜芯片、巨量轉(zhuǎn)移、超高精度布線、先進(jìn)集成封裝等方面積累了豐富經(jīng)驗(yàn)，確保產(chǎn)品的卓越性能和穩(wěn)定性。在"自主性研發(fā)+智能化生產(chǎn)"雙重核心能力的驅(qū)動(dòng)下，元旭半導(dǎo)體逐步構(gòu)建起從MicrO-LED顯示芯片、先進(jìn)集成封裝到新一代智慧顯示產(chǎn)品的垂直整合智造體系，大力推動(dòng)MicrO-LED產(chǎn)業(yè)走進(jìn)商業(yè)顯示及家用領(lǐng)域。?

資料顯示，元旭半導(dǎo)體無(wú)錫研發(fā)基地面積為6000平方米，定位于研發(fā)中心&一期智能化制造中心。涵蓋芯片設(shè)計(jì)、微型化薄膜芯片、巨量轉(zhuǎn)移、超高精度布線、先進(jìn)集成封裝等多項(xiàng)關(guān)鍵顯示技術(shù)環(huán)節(jié)。?其Micro-LED集成光電子天津超級(jí)工廠總面積為40000平方米，涵蓋2000 平方米百級(jí)凈化車間:14000平方米千級(jí)、萬(wàn)級(jí)凈化車間;8000平米顯示屏校正測(cè)試、組裝車間。天津超級(jí)工廠全面集成晶圓材料、芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、芯片封裝和測(cè)試等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，重點(diǎn)開展第三代半導(dǎo)體Micro-LED集成光電子整合智造業(yè)務(wù)，年產(chǎn)值約達(dá)10億元。?

（根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，僅供參考）