?11月25日，按照第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會（CASAS）相關管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會投票通過2項氮化鋁晶片方面的團體標準立項建議，詳細信息如下：
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秘書處將向CASAS正式成員發(fā)出征集起草單位的通知，組建標準起草小組，請CASAS正式成員關注秘書處郵件（[email protected]）。 T/CASAS 053—202X 氮化鋁晶片位錯密度檢測方法 腐蝕坑密度測量法規(guī)定了氮化鋁晶片位錯密度的檢測方法，適用于拋光加工后位錯密度小于I0^7個cm^2的AIN晶片。通過本標準的實施，可以確保不同實驗室和生產(chǎn)廠商之間的檢測結果具有可比性，從而保障晶片質(zhì)量的穩(wěn)定性和可靠性。 T/CASAS 054—202X 氮化鋁晶片透射譜檢測方法描述了氮化鋁晶片透射譜的檢測方法，包括樣品制備、檢測設備、檢測程序、結果分析和報告。適用于氮化鋁晶片的質(zhì)量控制和評估。
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