?年度第三代半導體行業(yè)盛會，第十屆國際第三代半導體論壇&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）11月19日在蘇州開幕。?大會為期三天，除重量級全天開幕大會外，三天時間里，論壇精彩內(nèi)容持續(xù)展開，內(nèi)容飽滿，全面覆蓋半導體照明和第三代半導體及相關領域的前沿熱點、技術應用、產(chǎn)業(yè)趨勢。同期，第六屆先進半導體技術應用創(chuàng)新展（CASTAS），全鏈條聚焦第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，活動精彩紛呈。

19-20日，九場技術分會，四場產(chǎn)業(yè)峰會，以及“強芯沙龍·會客廳”三大主題三場對話，火力全開，百余位專家分享精彩主題內(nèi)容。

九場技術分會 百余位專家 追蹤前沿進展脈動走向

第三代半導體在諸多領域中扮演著重要角色，應用需求的擴展，也對第三代半導體技術提出了更高的要求，推動技術不斷進行技術創(chuàng)新和突破。第三代半導體技術正快速發(fā)展中，顯著進步的同時也面臨著挑戰(zhàn)。,

20日，九場技術分會，來自產(chǎn)業(yè)鏈不同環(huán)節(jié)的百余位專家分享精彩報告，全面追蹤第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈技術前沿進展趨勢，把握全球技術脈動走向。

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超寬禁帶半導體技術分會I /II現(xiàn)場

其中，超寬禁帶半導體技術分會I /II 上，20個主旨報告，圍繞氧化鎵和氮化鋁、氧化鎵高導熱異質(zhì)集成射頻器件、氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件、Ga?O?氣體傳感器、氧化鎵PECVD外延生長、金剛石襯底和器件、六角氮化硼薄膜制備、GaN HEMT應用、金剛石輻射探測器級材料制備和器件性能等主題內(nèi)容展開探討。?

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碳化硅功率器件及其封裝技術分會現(xiàn)場

碳化硅功率器件及其封裝技術分會，12個主旨報告，探討SiC 功率 MOSFET老化檢測、寬禁帶器件高溫高可靠封裝技術、高可靠SiC MOSFET管芯、SiC MOSFET 微型化、高性能AlN陶瓷基板及金屬化技術、大功率碳化硅MOSFET模塊研制、SiC基電力電子及射頻芯片技術、碳化硅超級結功率器件技術、SiC功率器件的光激發(fā)等技術進展。

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氮化鎵功率電子器件技術分會I現(xiàn)場

氮化鎵功率電子器件技術分會I，8個主旨報告，重點探討硅基和氮化鎵基功率半導體的輻射效應，GaN p-MISFET先進制造技術、垂直結構GaN、Si基GaN器件及系統(tǒng)、6英寸GaN/Si CMOS 1P2M單片異質(zhì)集成整套芯片工藝、GaN HEMT人工神經(jīng)網(wǎng)絡物理模型等主題。

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碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術分會現(xiàn)場

碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術分會，8個主題報告，重點關注SiC單晶的坩堝結構及PVT生長工藝條件，碳化硅單晶缺陷研究，SiC功率器件的裝備與工藝、硅晶圓廠中的SiC制造、化合物半導體外延大規(guī)模量產(chǎn)、用于SiC功率器件外延生長的CVD設備、大直徑碳化硅外延等相關技術進展。

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氮化物襯底、外延生長及其相關設備技術分會現(xiàn)場

氮化物襯底、外延生長及其相關設備技術分會上，11個主題報告，圍繞氮化鋁基半導體材料及器件、氮化鋁單晶材料、AlN基高壓高頻功率器件、硅襯底GaN基光電材料外延、氮化鎵基光電子及功率器件、氨熱法氮化鎵單晶生長、大尺寸氮化鎵單晶生長、高溫PVD氮化鋁緩沖層技術、等離子體輔助分子束外延生長AlN薄膜等相關技術展開深入的分享探討交流。

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氮化鎵射頻電子器件分會現(xiàn)場

氮化鎵射頻電子器件分會上，10個主旨報告，圍繞下一代高端生態(tài)半導體、移動終端射頻功放應用、面向6G和Wi-Fi 7 的高頻和寬帶射頻濾波器、同質(zhì)外延氮化鎵射頻電子器件、特色射頻半導體、藍寶石上AlGaN/GaN異質(zhì)結雙極晶體管、微波無線能量收集、大功率微波限幅器等技術主題展開探討。

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光醫(yī)療技術創(chuàng)新應用論壇現(xiàn)場

光醫(yī)療技術創(chuàng)新應用論壇上，7大主旨報告，重點探討光學技術糖足微循環(huán)監(jiān)測與干預應用、全色域光源光療愈應用，公共場所空氣現(xiàn)場消毒技術、光醫(yī)療領域應用、LED可穿戴醫(yī)療中技術等創(chuàng)新應用相關的最新進展。

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LED健康照明與光品質(zhì)技術論壇現(xiàn)場

LED健康照明與光品質(zhì)技術論壇上，11個主旨報告，圍繞基于視錐響應的光度學與色度學、人因+智慧 全齡健康照明、光源質(zhì)量與照明設計、特種照明、光照環(huán)境非視覺效應計算、光生物影響研究等技術深入交流探討。?

四大產(chǎn)業(yè)峰會 聚焦熱點應用進展

當前，第三代半導體產(chǎn)業(yè)駛?cè)氚l(fā)展“快車道”，第三代半導體材料、器件正在快速實現(xiàn)從技術研發(fā)到規(guī)模化量產(chǎn)，技術進步和市場需求的雙重驅(qū)動下，其發(fā)展前景非常樂觀。不同領域的應用規(guī)模不斷增長，前景看好。?

19-20日，第四屆車用半導體創(chuàng)新合作峰會、智慧照明設計及應用創(chuàng)新峰會、Mini/Micro-LED技術產(chǎn)業(yè)應用峰會、第三代半導體標準與檢測研討會等四大產(chǎn)業(yè)峰會圍繞著當前第三代半導體幾大熱點應用領域，來自重點企業(yè)、實力派專家齊聚，展開重點探討，互通信息，分享交流，共謀商機。

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第四屆車用半導體創(chuàng)新合作峰會現(xiàn)場

電動汽車和智能網(wǎng)聯(lián)汽車的普及，對高性能半導體芯片的需求大幅增加。新能源汽車的普及也推動了車用半導體市場的擴展?，對半導體的需求量大幅增加。第四屆車用半導體創(chuàng)新合作峰會上，來自安世半導體、株洲中車時代、士蘭微電子、芯聚能、英飛凌、長城汽車等代表性企業(yè)的實力派嘉賓們，重點分綠色出行和綠色能源發(fā)展、軌道交通、新一代主驅(qū)應用、車規(guī)SiC產(chǎn)品與應用、國產(chǎn)化芯片等相關領域，第三代半導體技術的機遇與挑戰(zhàn)。

智慧照明設計及應用創(chuàng)新峰會現(xiàn)場

消費者對照明的智能化和高端化需求不斷增加?，智慧照明在智慧城市建設和智能家居領域發(fā)揮重要作用。智慧照明設計及應用創(chuàng)新峰會上，實戰(zhàn)派的專家們圍繞著居住空間中照明、DALI 數(shù)字化演化進程和商用照明、智慧桿站和戶外照明的數(shù)智化發(fā)展、健康光與自然光的擬合算法及應用、智能照明與健康等主題展開交流探討。

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Mini/Micro-LED技術產(chǎn)業(yè)應用峰會現(xiàn)場

Mini LED和Micro LED技術在高端顯示領域占據(jù)重要地位，并且隨著技術的不斷成熟和成本的降低，市場份額將進一步擴大，成為未來顯示技術的主流趨勢。Mini/Micro-LED技術產(chǎn)業(yè)應用峰會上，產(chǎn)業(yè)鏈不同環(huán)節(jié)代表性專家們，圍繞著MicroLED的量產(chǎn)策略、Micro-LED智慧顯示、顯示用Micro-LED芯片與集成技術、 0.18cc全彩Micro-LED光機、多元Mini-LED顯示技術、玻璃基TFT Micro-LED拼接屏、無損Micro-LED芯片技術、CSP芯片級封裝在Mini-LED背光中的應用，微納光學器件制造、先進半導體鍵合集成技術等展開深入的交流探討。?

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第三代半導體標準與檢測研討會現(xiàn)場

科學的檢測標準和方法對于推動產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展、保障產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性、促進技術創(chuàng)新和應用、提升市場信任以及支持國家戰(zhàn)略需求具有重要意義。第三代半導體標準與檢測研討會上，來自相關科研機構、企業(yè)的專家們，分享探討了面向?qū)捊麕О雽wGaN應用的紫外脈沖激光輻照實驗技術、GaN HEMT功率器件壽命預測SPICE模型研究、動態(tài)應力下GaN功率器件閾值電壓不穩(wěn)定性機理研究、基于SiC MOSFET可靠性標準的產(chǎn)品驗證與失效機制、面向SiC/GaN功率器件失效分析的測試技術等研究內(nèi)容和進展。

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《強芯沙龍·會客廳》現(xiàn)場

此外，作為論壇同期重要配套活動之一，《強芯沙龍·會客廳》首次線下開展，20-21日，將連開四場，并特邀四位第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長坐鎮(zhèn)主持，圍繞海外業(yè)務拓展與貿(mào)易風險、投融資與信貸、知識產(chǎn)權與專利運營、平臺建設與人才培養(yǎng)四大主題展開探討。采用線上同步直播，線上線下聯(lián)動的方式互動，大咖面對面，精彩主題報告及高質(zhì)量對話，共議產(chǎn)業(yè)發(fā)展痛點，尋求破解之道。?

20日的會客廳主題探討中，“海外業(yè)務拓展與貿(mào)易風險”主題環(huán)節(jié)，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長馮亞東主持下，經(jīng)濟學人智庫高級經(jīng)濟學家徐天辰，馬來西亞投資發(fā)展局(MIDA) 上海辦公室主任Steven Cheng

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，馬來西亞雪蘭莪州CSSB-CEOEn. Mohd Zapi，上海特易信息科技有限公司副總經(jīng)理馬愛玲等嘉賓，圍繞著“出海”重點，分享主題報告，展開深度對話。?

在“投融資與信貸”主題環(huán)節(jié)，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長耿博主持下，中科創(chuàng)星董事總經(jīng)理張思申，中信銀行蘇州分行投資銀行部主管李夢龍，元旭半導體科技股份有限公司董事長助理楊帆，芯三代半導體科技(蘇州)股份有限公司執(zhí)行總監(jiān)韓躍斌等專家、企業(yè)代表參與主題分享和深度對話。?

在“知識產(chǎn)權與專利運營”主題環(huán)節(jié)，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長高偉主持下，北京熙說信息科技有限公司博士、研究員馬志勇，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司合規(guī)副總裁宋巧麗，北京芯創(chuàng)智源知識產(chǎn)權咨詢服務有限公司咨詢業(yè)務總監(jiān)徐俊，天啟黑馬信息科技有限公司資深檢索分析師張縱縱等專家，等圍繞著知識產(chǎn)權的風險與應對相關內(nèi)容，參與主題分享與深度對話。

本屆論壇為期三天，21日精彩內(nèi)容將繼續(xù)展開，將有九場專題活動，百余位專家，聚焦技術創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)化應用熱點動向，第六屆先進半導體技術應用創(chuàng)新展（CASTAS）同期火熱進行中，敬請關注！