國家知識產權局信息顯示，南京南瑞半導體有限公司申請一項名為“一種溝槽型SiC器件及其制備方法”的專利，公開號CN 118888594 A，申請日期為2024年7月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種溝槽型SiC器件及其制備方法，通過利用二次外延方法在溝槽型SiC器件中引入一種漸進式電場調制區結構，漸進式電場調制區采用的是漸進式結構，即第一結構區相比于第二結構區窄，即與柵溝槽、阱區的間距更大，從而可降低電場調制區與阱區的自然耗盡作用，以解決因兩者之間的耗盡作用而導致的導通夾斷效應，進而增強器件的電流導通能力。可有效調制器件內部電場，消除溝槽底部的電場聚集效應，還可降低溝槽底部柵氧中的電場強度，避免柵氧擊穿，從而可防止器件過早擊穿燒毀，提升器件可靠性。同時還可有效避免電場調制結構與阱區的自然耗盡作用，從而防止器件導通性能惡化。此外，本發明的制備方法與現有技術中的平柵型SiC MOSFET器件制備方法兼容，因此可實現高性能、批量化溝槽型SiC器件制備及生產。