天眼查顯示，杭州士蘭微電子股份有限公司近日取得一項名為“MEMS器件及其制造方法”的專利，授權公告號為CN109650326B，授權公告日為2024年10月11日，申請日為2018年12月27日。

本申請公開了一種MEMS器件及其制造方法。該制造方法包括在第一襯底上形成犧牲層；在犧牲層上形成質量塊；去除部分質量塊形成第一凹槽；經由第一凹槽去除部分犧牲層形成到達第一襯底的表面的空腔；在質量塊上形成第一鍵合區(qū)；形成保護膜，保護膜覆蓋第一鍵合區(qū)、質量塊與第一襯底的表面以及第一凹槽的側壁；以及去除部分保護膜，其中，在去除保護膜的步驟中，位于第一凹槽的側壁的保護膜、位于質量塊與第一襯底相對的表面的保護膜以及位于第一襯底表面的保護膜因被質量塊遮擋而被保留。該制造方法在去除保護膜的步驟中，清潔第一鍵合區(qū)上的保護膜，達到了提高封裝質量的目的。