國家知識產(chǎn)權局信息顯示，重慶芯聯(lián)微電子有限公司申請一項名為“掩膜版圖形及其優(yōu)化方法”的專利，公開號 CN 118838110 A，申請日期為 2024 年 8 月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種掩膜版圖形及其優(yōu)化方法，該優(yōu)化方法為在初始圖形包括并排排列且長度不等的密集圖形和稀疏圖形時，通過在位于密集圖形寬度方向至少一側(cè)的稀疏圖形末端增加曝光輔助圖形，使其沿稀疏圖形長度方向延伸，且密集圖形長度與稀疏圖形的始端和曝光輔助圖形的末端之間的距離的差值為密集圖形長度的±10％之間，使得集成電路版圖中圖形密度程度相差減小，密集圖形的末端因為有曝光輔助圖形的遮擋不會接收到更多的曝光能量所以不會由于光學臨近效應發(fā)生“端部膨脹”現(xiàn)象從而在襯底上轉(zhuǎn)移得到和原始的掩膜版上圖形設計相同的圖案，減少集成電路版圖中因圖形密度不同引起的工藝差異，從而解決由此導致的接觸孔功能性不良和短路等工藝缺陷。