該項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過200億元,其中項(xiàng)目一期總投資100億元,可年產(chǎn)36萬片SiC MOSFET晶圓,包括外延、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝等。
半導(dǎo)體照明網(wǎng)消息:第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)將于2023年11月27-30日于廈
以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導(dǎo)體材料正迎來廣闊的發(fā)展前景,成為全球的機(jī)會和關(guān)注焦點(diǎn)。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息,第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)將于2023年11月27-30日于廈
新科技時代背景下,人工智能、能源環(huán)保、自動駕駛等需求驅(qū)動下,以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導(dǎo)體材料迎來廣闊的發(fā)展前景
為培育和推動盤錦市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展新動能,盤錦高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會與中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟擬定于
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息:第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)將于2023年11月27-30日于廈
為培育和推動盤錦市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展新動能,盤錦高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會與中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟擬定于
中國第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導(dǎo)體正式宣布完成新一輪戰(zhàn)略融資,投資方為東風(fēng)汽車旗下直投平臺東風(fēng)資管。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息:第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)將于2023年11月27-30日于廈
近日,2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),西安交通
近日,2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),西安交通
前不久商務(wù)部宣布對鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制,未經(jīng)許可不得出口,從8月1日開始這個限制正式生效了。這兩種都是半導(dǎo)體行業(yè)中的
2023年7月26-28日,2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指
7月26-28日,江蘇省第三代半導(dǎo)體研究院邀您參加在西安召開的2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇。CASICON 2023西安論壇
隨著硅半導(dǎo)體材料主導(dǎo)的摩爾定律逐漸走向其物理極限,以第三代半導(dǎo)體為代表的化合物半導(dǎo)體滿足光電子、微波射頻和高效功率電子等
以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等為代表的第三代先進(jìn)半導(dǎo)體器件是全球智能、綠色、可持續(xù)發(fā)展的重要支撐力量,其在光電子,射頻
近幾年新能源車的爆發(fā),極大地促進(jìn)了IGBT市場的發(fā)展。隨著全球電動車的銷量提升,新能源汽車的不斷普及,對于充電樁的需求日益增
隨著硅半導(dǎo)體材料主導(dǎo)的摩爾定律逐漸走向其物理極限,以第三代半導(dǎo)體為代表的化合物半導(dǎo)體滿足光電子、微波射頻和高效功率電子等
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 021202X《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)閾值電壓測試方法》已完
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財(cái)政部 稅務(wù)總局 科技部關(guān)于加大支持科技創(chuàng)新稅前扣除力度的公告
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