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天眼查顯示，派恩杰半導(dǎo)體（浙江）有限公司基于S參數(shù)的數(shù)據(jù)處理方法、裝置及電子設(shè)備專利公布，申請公布日為2024年11月15日，申

該調(diào)查將初步評估中國的行為、政策和做法對碳化硅襯底或其他用作半導(dǎo)體制造投入的晶片生產(chǎn)的影響。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，華為技術(shù)有限公司申請一項名為碳化硅襯底及其制備方法、半導(dǎo)體器件、電子設(shè)備的專利，公開號 CN 119153

武漢金信新材料有限公司（以下簡稱“金信新材料”）芯片用第三代半導(dǎo)體8英寸碳化硅晶錠項目完成研發(fā)，通過了行業(yè)專家驗證

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，根據(jù)破產(chǎn)資訊網(wǎng)披露的《北京世紀金光半導(dǎo)體有限公司管理人公開選聘審計、評估機構(gòu)的公告》顯示，北京市

天岳先進與您共探SEMICON Japan 2024科技之旅！

天岳先進將繼續(xù)秉持“先進 品質(zhì) 持續(xù)”的理念，堅持自主創(chuàng)新，品質(zhì)引領(lǐng)，為碳化硅行業(yè)的廣闊發(fā)展貢獻天岳力量。

“碳化硅功率器件及其封裝技術(shù) I”分會上，加拿大多倫多大學(xué)電氣與計算機工程系教授吳偉東做了“SiC 功率 MOSFET老化檢測智能柵極驅(qū)動器”的主題報告，分享了相關(guān)研究進展。

合肥賽美泰克科技有限公司在新站高新區(qū)開業(yè)運營。

安森美（onsemi，納斯達克股票代碼：ON）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)

江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司近日完成了新廠房的整體搬遷

“碳化硅功率器件及其封裝技術(shù) I”分會上，專家們齊聚，共同探討碳化硅功率器件及其封裝技術(shù)的發(fā)展。

期間，“碳化硅襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)”分會上，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司工藝主任工程師陳丹瑩做了“PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生長的CVD設(shè)備”的主題報告，分享了基于CFD模擬的SiC刀具設(shè)計優(yōu)化、AMEC PRISMO PDS8 SiC外延工藝結(jié)果等內(nèi)容。

”碳化硅功率器件及其封裝技術(shù) I“上，江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理梁超做了”功率器件封裝用的高性能AlN陶瓷基板及金屬化技術(shù)“的主題報告。分享了面向功率器件封裝用陶瓷基板的發(fā)展現(xiàn)況，以及博睿陶瓷基板研究進展等內(nèi)容。

天岳先進攜全系列碳化硅襯底產(chǎn)品精彩亮相，并隆重發(fā)布了行業(yè)領(lǐng)先的300mm碳化硅襯底產(chǎn)品。

天科合達官微宣布，公司“第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項目”開工儀式在北京順利舉行。

上海林眾電子科技有限公司智能質(zhì)造中心啟用儀式在車墩鎮(zhèn)舉行。

納微半導(dǎo)體今日發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，其采用了氮化鎵和碳化硅技術(shù)的混合設(shè)計，實現(xiàn)了>97.5%的超高效率，完美適配AI和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心。