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天眼查顯示，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司一種腔室清潔方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備專利公布，申請公布日為2024年11月29日，申請公布

浪潮華光光電成立二十五周年大會暨浪潮半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園投產(chǎn)儀式在濟(jì)南舉行。

據(jù)西安經(jīng)開消息，2025年1月3日，西安經(jīng)開區(qū)與唐山控股發(fā)展集團(tuán)舉行項(xiàng)目簽約儀式。唐山控股發(fā)展集團(tuán)計(jì)劃投資5億元，在經(jīng)開區(qū)建設(shè)

今天上午9時(shí)30分隨著鐘聲敲響從吳江走出的全球氮化鎵龍頭英諾賽科成功登陸港交所成為港股第三代半導(dǎo)體第一股12月30日，英諾賽科

粵芯半導(dǎo)體迎來發(fā)展史上的又一重大里程碑時(shí)刻。

鎵仁半導(dǎo)體在超寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得重大突破

廈門大學(xué)恒坤科技先進(jìn)半導(dǎo)體材料聯(lián)合創(chuàng)新中心(簡稱聯(lián)合創(chuàng)新中心)日前在廈大思明校區(qū)簽約揭牌。該中心是廈門大學(xué)與廈門恒坤新材料

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣州華瑞升陽投資有限公司申請一項(xiàng)名為寬禁帶半導(dǎo)體器件的專利，公開號 CN 119170634 A，申請日期為202

天眼查顯示，蘇州長光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司近日取得一項(xiàng)名為一種釋放氧化應(yīng)力的VCSEL芯片及其制備方法的專利，授權(quán)

又見跨界收購半導(dǎo)體資產(chǎn)，這次是“一代鞋王”奧康。

12月24日，華工科技半導(dǎo)體激光裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室啟動(dòng)儀式在華工激光舉行。聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室是武漢市首批10家聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室之一，以半

科瑞半導(dǎo)體實(shí)施功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈倍增計(jì)劃，推進(jìn)第三代半導(dǎo)體等功率器件封測產(chǎn)線的升級，于6月投資啟動(dòng)實(shí)施一期項(xiàng)目IGBT、SiC第三代半導(dǎo)體基礎(chǔ)工藝封測產(chǎn)線建設(shè)，擴(kuò)建半導(dǎo)體功率器件框架生產(chǎn)線，主要應(yīng)用于充電樁、新能源汽車等領(lǐng)域。

天眼查顯示，派恩杰半導(dǎo)體（浙江）有限公司基于S參數(shù)的數(shù)據(jù)處理方法、裝置及電子設(shè)備專利公布，申請公布日為2024年11月15日，申

據(jù)港交所12月23日披露，廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱為天域半導(dǎo)體)向港交所主板提交上市申請書，中信證券為獨(dú)家保薦人。

該調(diào)查將初步評估中國的行為、政策和做法對碳化硅襯底或其他用作半導(dǎo)體制造投入的晶片生產(chǎn)的影響。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，華為技術(shù)有限公司申請一項(xiàng)名為碳化硅襯底及其制備方法、半導(dǎo)體器件、電子設(shè)備的專利，公開號 CN 119153

唐晶量子化合物半導(dǎo)體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項(xiàng)目將扭轉(zhuǎn)化合物半導(dǎo)體激光器外延片長期依賴進(jìn)口的局面，助力下游半導(dǎo)體激光器、射頻芯片等國產(chǎn)化。

晶益通半導(dǎo)體官方消息宣布，IGBT模塊材料和封測模組產(chǎn)業(yè)園一期項(xiàng)目已順利封頂，項(xiàng)目預(yù)計(jì)將在明年4月竣工并交付使用。

新站高新區(qū)與深記設(shè)備搬運(yùn)安裝有限公司舉行項(xiàng)目簽約儀式，進(jìn)一步助力我區(qū)新型顯示、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

12月14日，由半導(dǎo)體投資聯(lián)盟主辦、愛集微承辦的2025半導(dǎo)體投資年會暨IC風(fēng)云榜頒獎(jiǎng)典禮在上海圓滿舉行。現(xiàn)場，東方晶源微電子科技